(模拟电子技术知识基础)第4讲晶体三极管.ppt

模拟电子技术基础 第四讲 晶体三极管 2 复习 二极管的伏安特性 公式、曲线和等效电路 稳压二极管 本讲问题： 晶体三极管放大的内部原因 晶体三极管的外部特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 第四讲 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 一、晶体管的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个区、三个极、两个PN结。 中功率管 大功率管 三个极： e (emitter)、 b (base)、c (collector)。 二、晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 为简化分析，本讲解中省略了少子的运动。 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 输入回路 输出回路 2. 输出特性 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 uCE较小时iC随uCE变化很大；进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线。 饱和区 放大区 截止区 β是常数吗？ 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态 uBE iC uCE 截止 ＜Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 饱和 ≥ Uon ＜βiB ≤ uBE 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 讨论一 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态； 2. 已知T导通时UBE＝0.7V， β=100，若uI=2V。分别求Vcc=12V 和Vcc=5V 时的Ic值（设T饱和时UCES=0）。 通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。 讨论一 讨论二 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO 14 作业： 1、预习 4.2 2、教材习题， P122：4.6 (a) (c) (e)