(电工及电子技术知识基础)第九章晶体二极管与直流稳压电源.ppt

反向击穿是稳压管的正常工作状态 I 伏安特性： 硅稳压管符号 ?UZ IZ IZmax ?IZ 曲线越陡，电压越稳定。 UZ U + — + — IZmin 4、特殊二极管 稳压二极管 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 rz越小，稳压性能越好。 光电二极管 工作在反向电压下，反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，会发出清晰的光，它的电特性与一般二极管类似。寿命很长，一般作显示用。 交流 电压 脉动 直流电压 整流 滤波 较平滑的 直流电压 稳压 直流 电压 a u1 u2 u1 b D4 D2 D1 D3 RL S C + – + 电源变压器 整流 滤波 稳压 把交流电压转变为直流脉动的电压 9.3 直流稳压电源 把交流电压转变为直流脉动电压。 单相半波、全波、桥式整流等。 为分析简单起见，把二极管当作理想元件处理，即二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。 说明： 整流电路的任务： 常见的小功率整流电路： 1、整流电路 1)单相半波整流电路的工作原理 u2 0 时，二极管导通。 iL u1 u2 a T b D RL uo 忽略二极管正向压降： uo=u2 u1 u2 a T b D RL uo iL=0 u20时，二极管截止,输出电流为0。 uo=0 uo (4) 输出电压平均值（Uo）： (1) 输出电压波形： u1 u2 a T b D RL uo iL (3) 二极管上承受的最高电压： (2) 二极管上的平均电流： ID = IL 2)单相桥式整流电路的工作原理 桥式整流电路 + - u2正半周时电流通路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL uo * 9.1 半导体的基础知识 9.2 晶体二极管 9.3 直流稳压电源 第九章 晶体二极管与直流稳压电源 9.1 半导体的基础知识 1、物理基础 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 2、半导体的导电特性 当受外界热和光的作用时，它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使 它的导电能力明显改变。 3、本征半导体 1）本征半导体的结构特点 Ge Si （完全纯净的、结构完整的半导体晶体） 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 +4 +4 +4 +4 在外力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而这个电子原来的位置又留下新空位，其他电子又可转到此位置…… 若在本征半导体两端加外电场，半导体中将出现两部分电流： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力也就越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的另一大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。半导体中同时存在电子导电和空穴导电，这是半导体导电的最大特点，也是半导体与金属在导电机理上的本质区别。 4、杂质半导体 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为空穴半导体。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为电子半导体。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 在硅或锗的晶体中掺入微量的五价元素（P）。 1、由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 1)N 型半导体 2)P 型半导体 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 在硅或锗的晶体中掺入微量的三价元素（B）。 3)杂质半