iiiv族gaas基半导体太阳能电池的模拟分析-simulation analysis of iiiv gaas - based semiconductor solar cells.docx

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iiiv族gaas基半导体太阳能电池的模拟分析-simulation analysis of iiiv gaas - based semiconductor solar cells

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他 个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集 体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名:日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借 阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进 行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□,在年解密后适用本授权书。 不保密□。(请在以上方框内打“√”)学位论文作者签名:指导教师签名:日期:年月日日期:年月日1绪论1.1课题的意义随着人类文明的发展,能源消耗也逐渐增加,尤其那些不可再生的能源如森林 中自然生长的树木,总有一天会消耗完,并且人们对于这种能源的利用方式也是不 科学的,随意砍伐会毁坏植被,导致类似泥石流之类的自然灾害,因此寻找一种不 但随处可取且用不完的能源是必需的,而太阳能恰恰符合这种需求,它的能量巨大, 并且遍及世界的各个角落,利用起来也很便利,特别重要的是,其在被使用的时候 不会产生毁坏环境的物质,比如噪声、废渣、废气等,由此可见,对太阳能量的挖 掘和利用不但可以解决我们的能源危机,而且也不会产生对环境有害的产物。本课 题的目的主要在于取得效率高的化合物单结 GaAs 太阳能电池,并附带简要研究双 结电池的结构和效率,太阳电池的研发不但推动了我们对现有的绿色能源的充分利 用,而且作为热门的空间电源,也可以促进我们国家航空航天事业的飞速发展,因 此,太阳能电池这个课题的研究意义很大。1.2课题研究背景太阳能电池最近几年是大热,随着技术的逐渐进步,电池的成本价格也在慢慢 降低,其除了在空间上得到比较广泛的应用外,地面上越来越多的应用也得到普及, 如太阳能热水器、太阳能路灯,太阳能幕墙等等。因为太阳能电池在国外发展得早,而且目前为止其发展得也已经特别成熟,因 此,首先讲国外背景:众所周知,一九五四年,以硅为主体材料的太阳能电池在贝 尔实验室研制成功,其光电转换效率在当时已经可以投入实际的使用,随后第二年, 就有半导体串联的太阳能电池的思想产生,该类型电池的设计思想就是用带隙宽度 大小不一的多种半导体材料有规律地进行组合来构成级联电池,每级的子电池仅能 转换跟其带宽特别相配的太阳光谱范围。硅和砷化镓单结的太阳能电池技术成熟 后,为了实现更高的转换效率,有兴趣的机构和公司就开始关注多结串联的电池,并对其进行研究,这种电池的实现方式在当时有两种,其中一种是用机械的方法来实现子电池间的连接(由于工艺复杂及成本较高,最终没有得到深入研究),如采 用此法制成的砷化镓/锑化镓[1]和砷化镓/锗[2]双结结构也都有比较高的光电转换效 率,上个世纪 80 年代初开始,砷化镓/砷化镓结构的单结太阳能电池已经通过 MOCVD 的方法投入实际的使用,随后,GaAlAs/GaAs 结构也开始受到关注,因为 其晶格匹配,因此在八十年代末期,这种电池结构已经实现了很高的转换效率[3], 但是后来,发现如果铝组分过高,在 GaAlAs 制备的过程中,其容易被残留在设备 管道或者反应腔中的氧所氧化,因此其发展受到限制,于是,人们开始寻找其它的 材料组合,这时,GaInP2 激发了大家的研究兴趣,因为其首先具有与高铝组分的铝 镓砷差不多的带隙宽度却避开了之前出现的问题,其次晶格与砷化镓晶格匹配[4]。 随着 MOCVD 工艺的日渐成熟发展及对 GaInP 更细致的了解[5],GaInP/GaAs 双结 电池发展得很好很快,效率已达到 30%(AM1.5,无聚光)[6],Jerry M. Olson 在九 十年代中期将其在 GaInP2/GaAs 电池研究中取得的成果转让给了在美国非常有影响 力的两家空间电池公司 Spectrolab 和 Tecstar[7],随后,九七年八月,该结构的双结 电池成为了首颗商用通信卫星的电源,其平均使用效率为 21.6%,取代了硅电池, 输出的功率也翻了一倍,从 4.8KW 提高到 10KW。Spectrolab 在三结电池的研究探索方面处于龙头地位,自从一九九六年其报道 了 N/P 的 InGaP2/GaAs/Ge 三结电池的生产结果后[8],人们就对此结构投入了更多的 关注和精力[9],到了二十一世纪,采用聚光器的 InGaP2/GaAs/Ge 型电池开始备受关 注,因为采用此法可以得到更高的转换效率,而且有利于公司进入地面市场,其多 结电池已经历四代:即双结[7]、三结[10

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