jr型氮化铝陶瓷静电吸盘的设计与制造-design and manufacture of jr aluminum nitride ceramic electrostatic chuck.docx
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jr型氮化铝陶瓷静电吸盘的设计与制造-design and manufacture of jr aluminum nitride ceramic electrostatic chuck
独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名:日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□,在年解密后适用本授权书。不保密□。(请在以上方框内打“√”)学位论文作者签名:指导教师签名:日期:年月日日期:年月日摘要静电吸盘是半导体工艺中的硅片夹持工具。静电吸盘相对于其他硅片夹持技术有着明显优势,但静电吸盘相关技术在国内却基本是空白一片。本文的目的即研究探索静电吸盘相关技术。典型的静电吸盘夹持系统一般是一个三明治结构:上下两层为电极,中间夹着一层电介质。而在实际简单的应用中,硅片充当上表面的电极,下电极和电介质被整合制造在一个器件中,即称为静电吸盘。静电吸盘是以静电吸附为基本原理在施加外部高压后,通过静电吸盘对硅片的库仑吸附力或J-R吸附力来固定硅片的。本文根据静电吸盘工作机理设计了一款三层型结构静电吸盘(J-R层、电极层、基底层),并通过各层功能需求选择其制造材料及工艺。基底层选择导热性良好并具有优良综合性能的氮化铝材料,并选择HTCC的方法作为基底层制造工艺;电极层选择具有优异的常温导电性、硬度、附着性及耐弯折性的银浆材料通过丝网印刷技术制成;J-R层作为J-R型静电吸盘的重要功能部分先确定选用氮化铝作为其主体材料,并通过添加调阻剂来调节J-R层体电阻率。本文在第四章中详述了J-R层的设计工作,通过对材料导电机理及渗流理论的研究,选择了氮化钛作为J-R层的调阻剂,并对添加不同TiN含量的J-R层式样片进行了组织分析,AlN/TiN复合陶瓷中组织致密其中并无杂质相影响。之后测量不同TiN含量的J-R层试样片体电阻率及在300V、500V、800V下对硅片的吸附力。综合测试结果分析知随着TiN含量的增加J-R层整体电阻率呈下降趋势且在TiN增至15%时J-R层体电阻率降至109Ω·cm数量级基本满足J-R层功能性需要,而吸附力则随着TiN含量的增加而不断增加,无论在300V,500V还是800V电压下TiN含量为15%的样片都具有较大的吸附力,这与预期中体电阻率与吸附力的关系相符合。关键词:静电吸盘J-R氮化铝陶瓷设计制造三层结构AbstractElectrostaticchuckisthewaferclampingtool.Afteryearsofresearch,wehavefoundthattheelectrostaticchuckhasobviousadvantagescomparedwithothertechnology.ButtheelectrostaticchucktechnologyisalmostablankpieceinChina.Thepurposeofthispaperistoexplorethetechnologiesofelectrostaticchuck.Generallyspeaking,atypicalstructureoftheelectrostaticchuckclampingsystemlikesasandwich:alayerofdielectricsandwichedbetweentwoelectrodes.Inpractice,thesiliconservesastheupperelectrodewhilethelowerelectrodeandthelayerofdielectricmemberareintegratedintoonepartwhichisusuallycalledelectrostaticchuck(ESC).Electrostaticchuckisbasedontheelectrostaticclampingprincipletoholdsiliconwafers.Therearetwoclampingprinciplesforelectrostaticchuck.OneisCoulombprinciplechuck,andtheotherisJ-Rprinciplechuck.Onthebasisoftheworkingmechanismoftheelectrostaticchuck,wedesignathree-tierstructu
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