大学物理（下）第10章静电场（电场和 与物质作用）.pptVIP

第 10 章 静 电 场;10.4 静电场中的导体;静电平衡条件:;下面这些说法对不对？;1. 导体内部各处净电荷为零，电荷分布在表面;?外;接地使B的外表面的电荷全部跑光。;2.导体表面上各处的面电荷密度与当地 表面紧邻处的电场强度的大小成正比;“尖端放电”及其应用;基本依据:;例1. 一个金属球A带电 qA，同心金属球壳 B带电 qB, 如图，求电荷分布、静电场分布。;思考 : 如果用导线将A、B连接, 电荷如何分布？;例2 已知:一均匀带电大平面A,面电荷密度为 ?0（0），今在其旁放置一块不带电的大金属 平板 B, 求：静电平衡时金属平板B上的感应电荷 分布和静电场分布.（忽略边缘效应）;由静电平衡条件:;I、II、III 区的场强为;必有 ? 2=0;EⅡ=;如图：插入电介质后，电压变小;为什么插入电介质会使电场减弱？;电介质这类物质中，没有自由电子,不导电，也称为绝缘体。电介质分子可分为有极和无极两类:;（2）分子中的正电荷等效中心与负电荷等效中心 不重合的称为有极分子（如 HCl、H2O、NH3 ）;不管哪种电介质，极化机制虽然不同，放到电场中都有极化现象，都会出现极化电荷（也叫束缚电荷）。;当外电场很强时，电介质的正负电中心 有可能进一步被拉开，出现可以自由移动的 电荷，电介质就变为导体了，这称为击穿。;10.5.2 电介质中的高斯定理;然后在其中充满相对介电常数为??r的电介质，介质表面出现的极化电荷?Q 会产生附加电场，附加电场方向与E0相反，附加电场的大小为;代入高斯定理，得到;例 3 已知: 一导体球半径为R1，带电 q0（0）外面包有一层均匀各向同性电介质球壳，其外半径为R2,相对介电常数为?r。求：场强。;?电介质内：场点 R2 r R1;电容器的电容;理论和实验结果都表明，任一孤立导体的带电量与其电势成正比，其比值与该孤立导体所带电量以及电势无关，这个比值称为孤立导体的电容。 ;【解】;3.电容的一般计算方法:;球形电容器 （两个球形电极的半径为 R1、R2, 充满相对介电常数为 ? r 的电介质）的电容：;我们可以根据电容器在充电的整个过程中，外力作了多少功，来得出电容器所具有的能量。; ;本质??看，电容器的能量是电场的能量。;我们以平行板电容器为例说明此问题:;若知道了电场分布, 就可以用下式求出整个电场的能量:;例5 已知: 球形电容器 R1、R2、?r，带电量为 Q， 求: We=？;例6 一空气平行板电容器接电源后，极板上的面电 荷密度为?0，在保持与电源接通的情况下，将 相对介电常数为? r 的各向同性均匀介质充满两 极板之间，忽略边缘效应。;真空