二氧化硅的干法刻蚀工艺研究.pdf

No. 2 微 　处 　理 　机 第 2 期 　 　 Ap r. , 2010 M ICROPROCESSOR S 20 10年 4 月 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 严剑飞 ,袁 　凯 ,太惠玲 ,吴志明 (电子科技大学光电信息学院 ,成都 6 10054) ( ) 　　摘 　要 :主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺 。运用反应离子刻蚀设备 R IE 150 ×4 进行了 一系列的刻蚀实验 ,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究 ,得出了不同工艺条件 对应的刻蚀速率 、均匀性 、选择比等刻蚀参数 ,并对结果进行了比较与分析 ,得到了相对最佳的工艺 条件 。 关键词 :反应离子刻蚀 ;二氧化硅 ;最佳工艺条件 DO I编码 : 10. 3969 / j. issn. 1002 - 2279. 20 10. 02. 005 中图分类号 : TN 305. 7　 　文献标识码 : A 　 　文章编号 : 1002 - 2279 (20 10) 02 - 00 16 - 03 R e se a rch o f th e E tch in g P ro ce s s fo r S ilico n D io x ide YAN J ian - fei, YUAN Kai, TA I Hu i - ling,WU Zh i - m ing (S chool of Op to - E lectron ic Inf orm a tion, UES TC, Cheng du 6 10054, Ch ina) 　　A b stract: Th is p ap er m ain ly focu se s on the dry etch ing p roce ss of Silicon oxide ( SiO2 ) . A serie s of etch ing exp erim en ts were carried ou t w ith reactive ion etch ing system. Silicon oxide wa s etched u sing differen t etch ing p roce ss, and the etch ing rate, un iform ity, selectivity were ob tained under differen t p roce ss condition s. The re su lts were comp ared and analyzed, and the op tim um condition s were cho sen. Key words:R eactive ion etch ing; SiO ; Op tim um condition s 2 气体被击穿 ,产生等离子体 。等离子体中包含正 、负 1　引　言 离子 ,长短寿命的游离基和自由电子 ,