磁性物理学第二章 技术知识磁化理论--磁性材料 6.pptVIP

3、单畴颗粒 大块材料以多畴结构最为稳定，只有在很强的外磁场作用下，才被磁化至饱和，整块材料的磁矩基本上取同一磁化方向，近似于一个单畴； 如果铁磁晶体材料的尺寸变得很小时，成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁场能还高，这时材料将不分畴，只好形成单畴； 如果铁磁晶体的尺寸足够小，近似于一个颗粒，自发磁化在一个方向，成为一个稳定的单畴结构，这些颗粒常称为单畴颗粒 临界尺寸rc：当铁磁体的尺寸小于某一尺寸时，整个晶体成为一个单畴，这一尺寸即为单畴的临界尺寸；不同的材料颗粒，形成单畴时的临界尺寸显然各不相同 a 单畴颗粒 b 各向异 性较弱 c 磁晶各向异性 较强的立方晶体 d 磁晶各向异性 较强的单轴晶体 其中b、c、d是尺寸大于临界尺寸的颗粒的几种最简单的磁畴结构 第三节 技术磁化 Technical Magnetization 铁磁性物质的基本特征： （1）、铁磁性物质内存在按磁畴分布的自发磁化 （2）、铁磁性物质的磁化率?很大 （3）、铁磁性物质的磁化强度与磁化磁场强度之间不是单值函数关系，显示磁滞现象，具有剩余磁化强度，其磁化率都是磁场强度的函数 （4）、铁磁性物质有一个磁性转变温度-居里温度TC （5）、铁磁性物质在磁化过程中，表现为磁晶各向异性和磁致伸缩现象 一、磁化过程概述(General of magnetizing process) 1、一些基本概念： 磁化过程：指处于磁中性状态的强磁性体在外磁场的作用下，其磁化状态随外磁场发生变化的过程，分为静态磁化过程和动态磁化过程 当磁场作准静态变化时，称为静态磁化过程（又分为技术磁化和内禀磁化）； 当磁场作动态变化时，称为动态磁化过程 技术磁化：指施加准静态变化磁场于强磁体，使其自发磁化的方向通过磁化矢量M的转动或磁畴移动而指向磁场方向的过程 2、磁化曲线的基本特征： 铁磁性、亚铁磁性磁化曲线为复杂函数关系 H 起始磁化区 陡峭区 趋近饱和区 Rayleigh区 M 顺磁磁化区 强磁体的磁化曲线可分为五个特征区域： （1）、起始磁化区（可逆磁化区域） M＝?iH B＝ ?0?iH （?i＝1+ ?i） （2）、Rayleigh区：仍属弱场范围，其磁化曲线规律经验公式： （3）、陡峭区 中等场H范围，M变化很快。 特点是不可逆磁化过程，发生巴克豪森跳跃的急剧变化，其?与? 均很大且达到最大值——又称最大磁导率区 （4）、趋近饱和磁化区 较强H，M变化缓慢，逐渐趋于技术磁化饱和。符合趋于饱和定律： 其中a、b与材料形状有关 （5）、顺磁磁化区 需极高的H，难以达到。在技术磁化中不予考虑 3、磁化过程的磁化机制： 若磁体被磁化，则沿外磁场强度H上的磁化强度MH可以表示为： 当外磁场强度H发生微小的变化ΔH，则相应的磁化强度的改变ΔMH可表示为： 畴壁位移磁化过程 磁畴转动磁化过程 顺磁磁化过程 即技术磁化过程为畴壁位移和磁畴转动两种基本磁化机制 强磁性材料被磁化，实质上是材料受外磁场H的作用，其内部的磁畴结构发生变化，也即是磁体内部总能量的平衡分布重新调整过程 技术磁化过程大致可以分为三个阶段： （i）、可逆畴壁位移磁化阶段（弱场范围内）： 若H退回到零，其M也趋于零。（多见于金属软磁材料和磁导率? 较高的铁氧体中） （ii）、不可逆畴壁位移磁化阶段（中等磁场范围内） 即有Barkhausen jumps 发生 （iii）、磁畴磁矩的转动磁化阶段（较强磁场范围内） 此时样品内畴壁位移已基本完毕，要使M增加，只有靠磁畴磁矩的转动来实现。一般情况下，可逆与不可逆磁畴转动同时发生于这个阶段 第四节 反磁化过程 Reversal of Magnetizing Process 一、概述 反磁化过程：铁磁体从一个方向饱和磁化状态变为相反方向的技术饱和磁化状态的过程； 主要特征——磁滞现象（磁化强度M随H变化中出现滞后的现象）——来自于不可逆磁化过程 实验证明，一般的磁性材料除在极低的磁场或极高磁场以外，在不同大小的磁场作用下反复磁化均可得到相应的磁致回线，而其中最大的回线就是饱和磁滞回线（Hc、Mr） 与磁化过程一样，反磁化中也存在可逆与不可逆磁化过程 反磁化过程中，磁滞形成的根本原因主要由于铁磁体内存在应力起伏、杂质以及广义磁各向异性引起不可逆磁化过程；所以磁滞与反磁化过程中的阻力分布有密切的关系； 磁滞的机制肯定包括下面两种：（1）在畴壁不可逆位移过程中，由应力和杂质所引起的磁滞；（2