太阳电池工作原理和制造.pptVIP

* 太阳电池制造过程-等离子体刻蚀 在检测是否刻蚀干净的设备------冷热探针 刻蚀机原理图 * 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 同样道理，P型半导体冷探针触点相对于室温触点而言将是负的。 此电势差可以用简单的微伏表测量。 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。 * 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为p，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 太阳电池制造过程-去磷硅玻璃 在扩散过程中，在硅片的表面形成一层磷硅玻璃，其主要成分是富含P2O5的SiO2。SiO2与HF生成可溶于水的络合物SiF6，从而使硅片表面的磷硅玻璃溶解，化学反应为： SiO2+ 6HF = H2（SiF6）+2H2O P型硅 N型硅 N型硅 太阳电池制造过程-PECVD 在扩散后的硅片表面沉积一层折射率低于硅片本身折射率的薄层，可以减少光入射到硅片时的表面反射，因此该薄层被称为减反射膜。采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，在成膜的同时还有加氢作用，因此在增强对光的吸收性的同时，对太阳电池起到很好的表面和体内钝化作用，同时提高短路电流和开路电压。等离子体增强化学气相沉积中所发生的化学反应为： SiH4 + NH3 = SiN：H + H2 氮化硅膜 * 镀好氮化硅薄膜的减反射的效果测试图 太阳电池制造过程-PECVD 判断PECVD 的产出硅片的质量 氮化硅颜色与厚度的对照表 颜　色 厚度（nm） 颜　色 厚度（nm） 颜 色 厚度（nm） 硅本色 0-20 很淡蓝色 100-110 蓝 色 210-230 褐 色 20-40 硅本色 110-120 蓝绿色 230-250 黄褐色 40-50 淡黄色 120-130 浅绿色 250-280 红 色 55-73 黄　色 130-150 橙黄色 280-300 深蓝色 73-77 橙黄色 150-180 红　色 300-330 蓝 色 77-93 红 色 180-190 淡蓝色 93-100 深红色 190-210 板式PECVD（ROTHRAU） * 太阳电池制造过程-背电极印刷 背面首先丝网印刷银浆，形成互联焊接的正电极。在以后的高温烧结炉烧结后，与硅片表面形成良好的欧姆接触。印刷银铝浆后，要经过约250度的烘干。 背电极 太阳电池制造过程-背电场印刷 背面第二次丝网印刷纯铝浆，形成背面接触，在以后的高温烧结炉烧结后，形成与硅片背表面的良好的欧姆接触。更重要的是，背表面纯铝浆丝网印刷技术和烧结，可以在硅片的背表面形成一层重掺杂P型层，从而覆盖扩散过程形成的N型掺杂层。重掺杂P型层可以增加p-n结对于光生载流子的收集，提高太阳电池的开路电压，通常称为背表面（电场）。 同样，丝网印刷纯铝浆后，要经过约250度的烘干。 背电场 太阳电池制造过程-前电极印刷 采用丝网印刷纯银浆制作正面电极，在后来的高温烧结炉烧结后，形成正电极与硅片表面良好的欧姆接触。正面电极由主栅线和副栅线组成。 在烧结过程中需要烧穿减反射膜层，又不至于使上电极金属烧穿p-n结致使p-n结损坏，同时要使背表面的铝浆与硅片形成良好的金属化。 完成整个电池的制作过程。太阳电池的成品应在干燥真空条件下保存。 主栅线 副栅线 太阳电池制造过程-检验 1）分类检测 通过模拟器模拟太阳光照射到电池片表面 使用电子负载测试太阳电池的电性能参数 计算机操作数据采集器将测试的数据自动记录并绘制出太阳电池的 I – V 特性曲线 太阳电池的电性能参数：Isc、Voc、Ipm、Vpm、Pmax、Rs、Rsh、FF、EFF 按效率的高低将电池分档 2）质量检验 外观检验 — 尺寸、重量符合设计要求，电池颜色均匀，无色差和污染 温度冲击 — 85℃～-40 ℃范围内循环5次，电池不开裂，电极不脱落，减反膜不变色（抽检） 电极牢度 — 将引线焊接在电池上，向一个方向加重，持续10秒，电极不脱落（抽检） 电池片试验 热循环试验 湿热贮存试验 紫外辐照预处理试验 电极附着力 铝背场附着力 可焊性 减反射膜附着力