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光 电 技 术 第1章 光电技术基础 1.1 光辐射的度量 1.1.2 与接收器有关的辐射度参数与光度参数 对可见光，照射到物体表面某一面元的光通量dΦv除以该面元面积dA称为光照度Ev，即 2. 辐照量和曝光量 1.2 光谱辐射分布与量子流速率 1.2.1 光源的光谱辐射分布参量 1.2.2 量子流速率 对可见光区域，光源每秒发射的总光子数 2. 普朗克辐射定律 3. 斯忒藩-波尔兹曼定律 4. 维恩位移定律 将式(1-43)代入式(1-40)，得到黑体的峰值光谱辐出度 例1-1 若可以将人体作为黑体，正常人体温的为36.5℃，（1）试计算正常人体所发出的辐射出射度为多少W/m2？（2）正常人体的峰值辐射波长为多少μm？峰值光谱辐射出射度Me,s,λm为多少？（3）人体发烧到38℃时峰值辐射波长为多少？发烧时的峰值光谱辐射出射度Me,s,λm又为多少？ 解 (1)人体正常体温的绝对温度T=36.5+273=309.5K 根据斯特藩-波尔兹曼辐射定律，正常人体所发出的辐射出射度为 例1-2 将标准钨丝灯为黑体时，试计算它的峰值辐射波长，峰值光谱辐射出射度和它的总辐射出射度。 解 标准钨丝灯的温度为TW=2856K，因此它的峰值辐射波长为 1.4 辐射度参数与光度参数的关系 1. 人眼的视觉灵敏度 如图1-5所示为人眼的明 视觉光谱光视效率V(λ)与波长λ的关系曲线。 2. 人眼的光谱光视效能 无论是锥状细胞还是柱状细胞，单色辐射对其刺激的程度与Le,λ成正比。 对于明视觉，刺激程度平衡的条件为 对于暗视觉，为 3. 辐射体光视效能 一个热辐射体发射的总光通量Φv与总辐射通量Φe之比，称为该辐射体的光视效能K,即 将式（1-35）、（1-61）代入式（1-60），得到 例如: 对于色温为2856K的标准钨丝灯其光视效能为17lm/W，当标准钨丝灯发出的辐射通量为Φe＝100W时，其光通量为 Φv = 1710lm。 由此可见，色温越高的辐射体，它的可见光的成分越多，光视效能越高，光度量也越高。白炽钨丝灯的供电电压降低时，灯丝温度降低，灯的可见光部分的光谱减弱，光视效能降低，用照度计检测光照度时，照度将显著下降。 1.5 半导体对光的吸收 1. 物质对光吸收的一般规律 2. 半导体对光的吸收 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 (2). 杂质吸收 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 (3). 激子吸收 (4). 自由载流子吸收 (5). 晶格吸收 1.6 光电效应 1.6.1 内光电效应 在热平衡状态下，载流子的产生率应与符合率相等，即 2. 光生伏特效应 3. 丹培(Dember)效应 4. 光磁电效应 5. 光子牵引效应 1.6.2 光电发射效应 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。 以上五种吸收中，只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。 光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。而被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象称为外光电效应。 本节主要讨论内光电效应与外光电效应的基本原理。 1. 光电导效应 光电导效应可分为本征光电导效应与杂质光电导效应两种，本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带产生本征吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生光生自由空穴。光生电子与空穴使半导体的电导率发生变化。这种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率的变化现象称为本征光电导效应。 通量为Φe,λ的单色辐射入射到如图1-10所示的半导体上，波长λ的单色辐射全部被吸收，则光敏层单位时间所吸收的量子数密度Ne,λ应为 (1-73)