第4章 数字集成电路设计技术3-4.ppt

4.2.5 CMOS反相器的功耗和速度　　1. CMOS反向器的功耗　　理想情况下的CMOS的静态功耗很小，主要是漏电流所致。除了静态功耗外，还有开关状态下的动态功耗。 动态功耗分为两类： 一类是电容充放电造成的； 一类是P管和N管同时导通形成直流通路时的短路电流。记CMOS反相器的电源供电电压为高电平UDD，低电平0，负载电容为CL，以下我们主要讨论电容影响。 　　1) 静态功耗PS　　当ui=0时，N管截止，P管导通，uo=UDD(“1”状态)；　　当ui=UDD时，N管导通，P管截止，uo=0(“0”状态)。　　无论ui是0还是1，总有一个MOS管是截止的，即iD≈0。故静态功耗可近似为　PS=iD×UDD=0 (4-22) 　　2) 动态功耗　　(1) 交流开关功耗PD1。当反相器的输入为理想阶跃信号时，对负载电容CL充放电所消耗的功耗PD1即交流开关功耗。图4-20所示为交流开关功耗产生示意图。 图4-20 ui为理想方波时反相器的交流开关功耗产生示意图 　　一个周期内CL充放电使反相器产生的平均功耗为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4-23)式中, TC为输入信号周期。因为　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4-24) 所以 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4-25) 　　由式(4-25)可知，反相器在一次电平转移中消耗的能量只与负载电容有关。 　　又称上述功耗为瞬态功耗，因为它是瞬态充电电流流过P管等效电阻和瞬态放电电流流过N管等效电阻所引起的功耗之和，也可理解为对负载电容充放电时因电荷转移而造成的能量消耗。　 　　　　(2) 直流开关损耗PD2。当反相器的输入为非理想阶跃信号时，在输入上升沿或下降沿存在P管和N管同时导通区，由此而引起的功耗称为直流开关功耗。一个周期内CL充放电使管子产生的平均功耗为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4-26) 其中，IDM是贯穿NMOS管和PMOS管电流的峰值，平均双管导通短路电流约为IDM/2。IDM值可近似为 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 (4-27) 　　反相器总的动态功耗为　　　　　　　　　　　PD=PD1+PD2 (4-28)一个反相器的总功耗为　　　　　　　　　 　P=PS+PD1+PD2 (4-29) 　　2. CMOS反相器的速度功耗积　　CMOS反相器的速度功耗积为　　　　　　　　　　P·T=CLU2DD　　　 　　　　　　 (4-30)　　它实质上还是能量量纲，P·T维持常数就意味着当电压、电容一定的情况下，即电平转移耗能一定时，欲高速工作(T小)，则功耗P大；欲降低功耗P，则需将实际的T加大。P·T积只与电容和电压有关，特别是与电压的平方成正比，指出了降低功耗P的最有效途径。　　从P·T积的角度而言，降低电压或者采用细线条工艺都是有利而无害的，但事实上这将会加重其他方面的问题，例如噪声容限等。 　　在反相器的设计中，如果单纯为了提高门的极限速度，则考虑的主要影响因素和措施有：　　(1) 减小负载电容CL，包括门、互连和扇出电容总和，这是关键。因为为了加速前后沿，必须减少充放电时常数。　　(2) 增大管子的宽长比W/L，即降低了导通电阻，因为W/L就是方块电阻的大小。但是也需提醒的是, 这样做电容可能会变大，包括扩散层电容和栅极电容。　　(3) 增大电源电压UDD，加快充放电速度。但是需要注意的是，目前总的趋势是降低电源电压，这样不仅可减少电场效应造成的干扰，而且可降低功耗。 4.2.6 BiCMOS反相器　　如同TTL和CMOS的门一样，BiCMOS的反相器也有不同的结构形式，每一结构的性能会有些不同。在图4-21中我们给出BiCMOS 门的一种形式，通过对这种形式门的分析，可以掌握其基本概念和工作原理。　　 4.2.6 BiCMOS反相器　　当输入电压为高时，NMOS管VM1接通，从而引起Q1导通, VM2和Q2关断, 总的输出为低电平。　　当输入电压为低时，将引起VM2和Q2导通, VM1和Q1关断, 总的输出为高电平。 　　在静态情况下，Q1和Q2始终不应该同时导通，因而功耗会很低。在BiCMOS结构中，采