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第 l4卷 第2期 电路与系统学报 VO1．14 NO．2 2009年 4月 J0URNALOFCIRCUITSANDSYSTEM S April， 2009 文章编号：1007-0249(2009)02—0084—06 一 种低功耗、高稳定性的无片外电容线性稳压器 宁志华， 何乐年， 刘磊， 马德 (浙江大学 超大规模集成电路研究所 ，浙江 杭州 310027) 摘要t本文研究并设计 了输出电压3．3V，最大输出电流为150mA的CMOS无片外电容的低压差线性稳压器 (Off-chip capacitor-freeLow．dropoutVoltageRegulator，LDO)。该LDO采用了NMC (NestedMillerCompensation)频率补偿技术 保证了系统的稳定性。另外，采用大电容环路和SRE (Slew RateEnhancement)电路抑制输出电压的跳变，改善了瞬 态响应 。电路采用了低功耗设计技术。采用CSMCO，5proCMOS混合信号工艺模型仿真表明：整个LDO的静态电流仅 为3．8gA；最差情况下的相位裕度约为88．5。；在5v工作电压下，当负载电流在1gs内从150mA下降到lmA时，输出电压 变化仅为140mV；在负载 电流150mA的情况下，当电源电压在5gs内从3．5V跳变至5V时，输出电压变化也仅为140mV。 关键词。无片外 电容；LDO；高稳定性；低功耗；瞬态响应 中图分类号tTN401 文献标识码tA 1 引言 低压差 (LowDropout，LDO)线性稳压器具有结构简单、低噪声、低功耗和小封装等诸多优点， 在便携式电子产品中得到广泛的应用[1-41。传统的LDO通常需要大容量的片外电容，用来保证其稳定 性和 良好的瞬态响应 2【J。无片外电容LDO的优点是显而易见的，它既节省了片外电容，又节约了板上 空间，更重要的是它可 以与系统芯片 (SystemonChip，SOC)直接集成，而无需外加焊盘和片外电容 。 因此，无片外电容是LDO设计的一个研究热点。 LDO 电路是一个典型的负反馈系统。传统LDO通过大容量片外 电容在输 出端制造 了一个低频主 极点以保证稳定性。然而无片外电容LD0没有了大容量的片外电容，为了保证LD0的稳定性，一般 将主极点设置在 LDO的内部节点上以保证其稳定性。为了达到这个 目的，KaNangLeung等提出了阻 尼系数控制 (DampingFactorControl，DFC)补偿方案 【1】；Chua．ChinWang等提出了改进型基于前馈 级的嵌套式密勒补偿方案 (NestedMillerCompensationwithFeedforwardStage，NMCF) j；Robert J．Milliken等则提出了伪微分器补偿方案 】。这些补偿方法基本能满足无片外电容 LDO的稳定性，但 需要设计 比较复杂的补偿 电路 。 无片外电容LDO另外需要考虑的一个重要问题是瞬态响应问题 2【J。当负载或电源 电压发生跳变的 时候，LDO输 出电压往往会有跳变 。这种情况在无片外 电容 LDO 中将表现得更加严重 (具体原因将 在下一节解释)。现有的改进瞬态响应的电路往往结构复杂，功耗较大，而改进的效果却不尽如人意， 如文献[1】中电路静态功耗为 38gA，输出电压跳变量却达到了 10％；文献 [2]中电路输出电压跳变为 3．2％，静态功耗却高达 65gA。而且这两种 电路的结构复杂。 本文提出了一种新型的低功耗、无片外电容LDO的设计方法，即采用经典的NMC补偿保证系统 的稳定性，同时又采用大电容环路和转换增强 (Slew RateEnhancement，SRE)电路抑制输出电压跳 变，改进LDO的瞬态响应。设计采用 CSMCO．5gm CMOS混合信号工艺库，并通过Cadence仿真工 具进行了仿真，验证 了设计方案 。 2 无片外电容 LDO瞬态响应分析 LDO的瞬态响应包括负载瞬态响应和线电压瞬态响应，由于二者都是输出电流和负载电流暂时的 不匹配引起的，这里仅 以负载瞬态响应为例进行分析。LDO的负载瞬态响应表征的是负载电流变化时 收稿日期 ·2008—05-27 修订 日期：2008-07-01 第 2期