ZnO半导体的光致发光机理.pdfVIP

科学论坛 I■ c}IinascienceandTechnologyReview ZnO半导体的光致发光机理 严志飞 (中国地质大学材料科学与化学工程学院 武汉 430074) [摘 要]氧化锌(ZnO)晶体材料作为重要的光电材料，在当今高科技领域 日益受到重视。氧化锌半导体因为具有较宽的禁带宽度(3．36eV)、可以存在的六 种缺陷形式(vo、Zn，、Vo，Zn、V 、0．、0 )和高的激子束缚能(60meV)，为其作为短波长发光材料提供了很大的潜力；其晶体结构与GaN同属纤维锌矿六方 晶系，深能级间电子跃迁可以发出蓝光和绿光，在GaN日益稀少的今天，被公认为取代GaN成为新一代发白光LED的最佳材料。不仅如此，氧化锌的发光特性 强烈的受到缺陷的影响。目前各个因素研究很多，从理论和实验两方面对氧化锌发光的机制进行综述，提出各种不同波长的发射峰的最合理机理。 [关键词]氧化锌 光致发光 机理 PL图谱 中图分类号：0643 文献标识码 ：A 文章编号：1009-914X(2011)38—0242—02 1引言 很多时候材料会发出同时包含不同波长的光，所以所说的光的颜色大多数是指 氧化锌晶胞具有六方纤维矿结构，其空间群为P6mc，晶格常数a。：O． 其中相对强度大的光 。 3249nm，Co：O．5206nm。作为新一代的半导体材料，氧化锌除了具有良好的介 图二是传统的ZnO材料的PL图谱 电性能和铁电性能之外，其发光特性更是研究的热点。本征氧化锌的发光特征 峰有2个，分别是紫外发光峰(380nm)、绿光发光峰(5IOnm)，目前关于紫外发 光的机理基本上达成共识，是因为位于氧化锌中靠近分导带和价带的电子空穴 对形成的激子激发所得到的t而绿光和蓝光的成因则众说纷纭，大多数理论认 为间隙锌是绿光发射的原因，也有理论认为是氧空位造成的，每种理论都有各 自的侧重。 缺陷是材料改睦的重要途径，本文将介绍掺杂对于氧化锌光致发光的影响 机制以及本征缺陷于发光的影响，讨论各种光的发射的合理解释 。 2ZnO中的缺陷 氧化锌中的缺陷可以大致分为两类 ：本征缺陷和掺人杂质。 W-* 群h，l 理论推导证明，不同的缺陷对这不同波长的光，徐彭寿等l【人利用金势的 图二 365~un下纳米氧化锌的发光图谱 线性多重轨道方法，计算了ZnO中六种不同缺陷的能级分布图(见图一) 3蓝光的发射 蓝光的发射机制大致有锌间隙 i、锌空位㈨、氧空位与掺杂．不少学者认 飙 ．娩 为ZnO薄膜的蓝色发射峰来 自锌间隙到价带顶端的跃迁 。文献 [31利用射频 煦 1． 7 反应溅射法制得的ZnO薄膜在345nm的激发波长下观察到了430nm的蓝光 发射 这与图一中的ZoS．的能级相差无几，充分证明了这一观点。而且由于在 氧离子半径为0．14nm，而锌离子半径只有0．074nm，因此离子半径更小的锌 间隙容易形成。据此推测，蓝光的发射是锌间隙的电子对价带顶端的跃迁。不 仅如此，当对材料进行不同退火温度的处理时，峰的强度随着温度的升高而减 弱，被认为是温度升高，锌离子移向表面与氧离子结合，使得锌间隙的浓度降