光电子技术第3章.pptVIP

第三章 光电子发射探测器 1.光电子发射探测器：基于光电效应的光电探测器， 也叫真空探测器。 光→光敏材料 发射电子→电流 2.分类 光电管：正逐渐被价格低廉，性能稳定的半导体 光电探测器取代。 高内增益：107（二次发射增益因子）可敏 感单个光电子，适合微光探测。 光电倍增管 响应速度快：适合快速脉冲弱光信号探测。 第三章 光电子发射探测器 §3.1 光电子发射效应 概述：光电子发射效应（外光电效应），逸出物质表面 的电子叫做光电子。 物理基础：爱因斯坦方程： ：物体的逸出功或功函数 ：物体逸出表面时的速度 一.金属的光电子发射 图３-1说明金属能级分布规律： 　EF :费米能级 　EA :表面势垒的高度， 　也称金属对电子的亲和势。 第三章 光电子发射探测器 情况1：T=0K时，能量最大电子处于费米能级上 (3-1) 电子逸出表面的运动能: ①当各种散射损耗=0时， 最大， ②金属逸出功： 代入公式3-1 得: 此为：T=0K时，爱因斯坦方程。 第三章 光电子发射探测器 情况2：T0K时: 由图3-1可知，存在高于费米能级的电子 因此 电子存在， ∴ 存在 的一个拖尾。 爱因斯坦方程不再成立！！ 思考：为什么T＞0Ｋ时爱因斯坦方程不成立？　 特例：常温时， 的电子很少，拖尾现象很小，近似 认为爱因斯坦定律在室温下是成立的。 二、半导体的光电子发射 为什么金属发射电子少而半导体易于发射？　 第三章 光电子发射探测器 ①表面逸出功高。 金属： ②表面反射强，对光辐射的吸收率低。 ③内部存在大量电子，相互碰撞损失能量。 ①对入射光反射系数小，吸收系数大，在长波限就 有电子发射。 ａ：趋向表面运动的过程中 ② 阴极层导电性适中： 损失能量比金属小； 半导体 ｂ：传导电子的补充不发生 困难。 ③半导体中存在着大量的发射中心（价带中有大的 电子密度）。 ④小的光电逸出功，较高的量子效率。 第三章 光电子发射探测器 半导体中光电子发射过程：（三步） ⑴对光电子的吸收： 　　 ：逸出　 ：在半导体中，对光电导有贡献。 　　　　　本征发射：本征吸收系数高， 　　　　　　　　　　量子效率高20～30%。 光电子：　 杂质发射：浓度1%，量子效率低，约为1%， 　　　　　　　　　　　吸收系数低。 自由载流子发射：微不足道。 第三章 光电子发射探测器 ⑵光电子向表面的运动 　　电子散射可以忽略。 　　晶格散射和光电子与价带中电子碰撞。 　　半导体的本征吸收系数大：↑↑，光电子效率越高，　　 　　　　　　　　　　　　　　6～30mm深度。 　　避免二次电子－空穴对：产生条件：能量是半导体带隙　 　　　　　　　　　　　　　能量的2～3倍。 　　　　　　　　　∴选Eg高的半导体，可避免二次发射。 ⑶克服表面势能的逸出　　能量大于表面势垒否？　 本征半导体： 逸出功： 第三章 光电子发射探测器 杂质半导体： 两部分能量：电子从发射中心激发到导带所需的最低能量。　　　 　　　　　从导带底逸出所需的最低能量（电子亲和势）。 第三章 光电子发射探测器 §3.2光电子发射材料 　　　　　纯金属材料 有三大类　表面吸附一层其他元素的金属和半导体材料。 　　　　　光电阴极:（光电管，光电倍增管，变像管，像　 　　　　　　　　　　增强管和一些摄像管等）。 一、光电阴极的主要参数 1.灵敏度 ⑴光照灵敏度：（白光灵敏度，积分灵敏度） 　光电阴极在一定的白光（色温为2856K的钨丝灯）照射 下，阴极光电流与入射的光通量之比。单位为μA/lm。 第三章 光电子发射探测器 ⑵色光灵敏度