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几种 DSP 与外接存储器的连接方法 摘要 存储器接口分为 ROM 接口和 RAM 接口两种。ROM 包括 EPROM 和 FLASH ，而 RAM 主 要是指 SRAM。TMS320C5409 具有 32K 字的片内 RAM 和 16K 字的掩膜 ROM 。但是在 DSP 应用的很多场合，尤其是带信号存储的 DSP 应用来说，TMS320C5409 的片内存储资源是远 远不够用的。因此，设计一个 TMS320C5409 硬件系统一般应该包括其与 EPROM/FLASH 和 SRAM 的接口设计，以存放程序和数据。本文介绍 TMS320C5409 与存储器的接口设计 方案。 关键词：DSP ，存储器 1 引言 存储器接口分为 ROM 接口和 RAM 接口两种。ROM 包括 EPROM 和 FLASH ，而 RAM 主 要是指 SRAM。TMS320C5409 具有 32K 字的片内 RAM 和 16K 字的掩膜 ROM 。但是在 DSP 应用的很多场合，尤其是带信号存储的 DSP 应用来说，TMS320C5409 的片内存储资源是远 远不够用的。因此，设计一个 TMS320C5409 硬件系统一般应该包括其与 EPROM/FLASH 和 SRAM 的接口设计，以存放程序和数据。本文介绍 TMS320C5409 与存储器的接口设计 方案。 2 DSP 与 SRAM 的接口设计 除了内部 32k 字 RAM 和 16K 字 ROM 之外,TMS320C5409 还可以扩展外部存储器。其中, 数据总空间总共为 64k 字（0000H～FFFFH ）,I/O 空间为 64K 字（0000H～FFFFH ），程序空 间为 8M。8M 的程序空间的寻址是通过额外的 7 根地址线（A16～A22 ）实现的, 由XPC 寄 存器控制。根据程序和数据的空间配置,扩展的方法主要有 3 种。 2.1 分开的程序和数据空间配置 这种方案是采用外接一个 128k×16 位的 RAM ，将程序区和数据区分开，如图 1 所示。采用 程序选通线 接外部 RAM 的A16 地址线实现，因此，程序区为 RAM 的前 64k 字 （0000H～ FFFFH ），数据区为RAM 的后 64k 字（10000H～1FFFFH）。对DSP 而言，程序区和数据区 的地址范围均为0000H～FFFFH 。 采用这种配置方法需要注意：如果内部 RAM 设置为有效，则相同地址的外部 RAM 自动无 效；当外部 RAM 不能全速运行时，需要根据速度设置插入等待状态（设置 SWWSR ）。 2.2 混合的程序和数据空间配置 这种方案是令 OVLY=1，此时内部RAM 既是数据区也是程序区。这样设置的优点是程序可 以在内部全速运行，缺点是由于程序和数据是共用的，因此存储区就变小了。此外，在链接 时必须将程序和数据分开，以避免重叠。 这种配置方法如图 2 所示。将 和 信号接至一与非门，形成 PDS 信号，这个信号不论是 有效还是 有效都呈现有效（高电平），将这个信号经反向用作片选信号，就可以保证外 部 RAM 既作为程序区也作为数据区。 图 1 分开的数据和程序空间配置 图2 混合的数据和程序空间配置 2.2 优化的混合程序和数据空间配置 图 3 所示为一种优化的混合程序和数据区外接 RAM 的方法。这种配置方法省去了 DSP 的 A15 地址线，将 RAM 分成 32k 字长的块。采用这种方法后，可充分利用外接的 RAM ，不 会因内部 RAM 和外部 RAM 的地址重叠而造成外部RAM 的浪费。 图3 优化的混合数据和程序空间配置 由于外部扩展的空间很大，因此DSP 程序区另外的地址空间也能访问到外部 RAM 。这种优 化的外部 RAM 配置方法，使得在使用 DSP 的内部RAM 的情况下，能够充分利用外部扩展 RAM 。 图4 DSP 与 FLASH 的接口 3 DSP 与 FLASH 的接口设计 图 4 为 DSP 与 FLASH 的一种接口配置。图中 FLASH 采用 Silicon Storage 公司的新一代 256K×16 位 CMOS FLASH Memory 产品 SST39VF400A 作为 DSP 的外部数据存储器，地址 总线和数据总线接至 DSP 的外部总线， 接至 DSP 的 。DSP 上的 XF 引脚用于启动编程。 当 XF 为低时，FLASH 处于读状态；当 XF 为高时