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- 2018-06-01 发布于天津
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秋季集成微电子器件第三十讲短的金属氧化物半导体场效应晶体管续月内容短沟效应阅读作业按比例缩小的途经秋季集成微电子器件主要问题为什么实际上漏电流比简单的长沟模型预测的小很多速度饱和对器件特性有什么影响秋季集成微电子器件短沟效应迁移率退化迁移率取决于纵向电场在线性区的实验观察实验的观察秋季集成微电子器件这里是在反型层平均归一化电场由于半导体氧化层界面的粗糙程度与对许多设计的通用的关系对电子和空穴有效的迁移率模型参数秋季集成微电子器件电子空穴秋季集成微电子器件对多晶硅栅简化的表达式和之间的关系式中带入
2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo
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第三十讲 “短的”金属 氧化物 半导体场效应晶体管 续）
11月1
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