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基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性... 导读：就爱阅读网友为您分享以下“基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性...”的资讯，希望对您有所帮助，感谢您对92的支持! 第28卷 第1期真 空 科 学 与 技 术 学 报 2008年1、2月CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY83 基于单根氧化锌纳米线的场效应管的光电特性研究 李静雷 郑凯波 沈浩 邢晓艳 孙大林 陈国荣 * (复旦大学材料科学系 上海 200433) PhotoelectricCharacteristicsofSingleZnONanowireFieldEffectTransistor LiJinglei,ZhengKaibo,ShenHaoting,XingXiaoyan,SunDalin,ChenGuorong* (DerpartmentofMaterialsScience,FudanUniversity,Shanghai200433,China) Abstract ThistextintroducedamethodofZnOnanowirefieldeffecttransistor(FET)fabrication.Scanningelectron microscopy(SEM)andX-raydiffraction(XRD)wereusedtocharacterizethemorphologyandmicrostructuresoftheas-obtainedsample.Theoutputandtransfercharacteristicsweretestedrespectively.Theslopeofoutputcharacteristicwas2153@10 -7 A/VwhenVgswas0V.Theturn-onvoltagewas-1612Vandthetransconductancewas4616nSwhenVds 8 -1 was2V.Thecarrierconcentrationofone-dimensionalZnOnanowirewas1115@10cm,theelectronicmobilitywas1414cm2/Vsandtheconductivitywas01268-1cm-1.Thecu-tofffrequencywas1585Hz;thecapacitancebetweenthedrainelectrodeandthesourceelectrodewas2514pF.Wealsoanalysisedthephotoelectricitysensitivityandthetimere-sponseoftheFETandexplainedthepossiblemechanism. Keywords ZnO,Nanowire,Fieldeffecttransistor(FET),Frequencyresponse 摘要 本文介绍了一种基于单根氧化锌纳米线场效应管的制备方法,用XRD和SEM分析了样品的结构和形貌,测试了 它的输出特性曲线和转移特性曲线。当Vds=2V时,测得场效应管的开启电压Vgt=-1612V;计算得到低频跨导gm=4616nS。在Vgs=0V时,测得一维ZnO纳米线的载流子浓度n=1115@108cm-1,电子迁移率Le=1414cm2/Vs,电导率R=01268-光电灵敏度和光电时间响应进行了测试分析。 1 cm-1。该场效应管的上限截止频率fH=1585Hz,漏源极间电容C=2514pF。本文还对基于单根氧化锌纳米线的场效应管的 关键词 氧化锌 纳米线 场效应管 频率响应 中图分类号:TN30412+1,O475 文献标识码:A 文章编号:1672-7126(2008)01-083-04 室温下氧化锌禁带宽度为3.3eV,束缚激子能高达60MeV。氧化锌在电学、光学、气体敏感性方面优异的性能吸引了研究人员的注意[1-2]。由于纳米尺度下的尺寸效应带来的一系列新的特性,近年来对于氧化锌一维纳米结构的理论及其应用的研究报道日渐增多[3],基于单根氧化锌纳米线的电子器件如单根氧化锌纳米线肖脱基二极管、单根氧化锌纳米线场效应管[5]等在国内外已经有过相关报道。Fan[6]等报道了基于单根氧化锌纳米线的场效应器件,但是其电学和光学特性还有待进一步的研究。为此我们课题组在研究纳米线性能的基础上,制备了基于单根氧化锌纳米线的场效应管,测试了其输出特性曲线、转移特性曲线、幅频特性曲线;对材料的载流子浓度、电 收稿日期:2007-03-23 [7][4] 子迁移率以及电导率等参数进行了计