低温微波加热系统.docVIP

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『』 規範書 壹、 目的 2 貳、 設備規範 2 參、 規格審查文件 7 肆、 教育訓練 7 伍、 測試與驗收 7 陸、 付款條件 9 柒、 保固 9 低溫微波加熱系統 目的 本招標規格書適用於下述之設計、製造、運輸及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。設備 低溫微波加熱系統整體需求規劃及規格建議如下：【數量：1套】 製程應用: 機台系統可低溫摻質活化(LTA) 機台系統可低溫氧化(LTO) NiSi(Nickel Silicide)之形成 系統要求規格 : 製程規格 低溫摻質活化(LTA)，(200mm wafer size) 製程溫度 500°C for As, B, P Implant B: Energy:?2 keV; ?Dose: 2E15/ cm2 Results: Temperature Setting:? 550°C Rs: Max. 620 ohm/sq Variation: Rs average +/- 3% No Measurable diffusion (SIMS) Particles: 15 Adders @ 0.16 micron particle size (200 mm) @ 3mm edge exclusion Implant As: Energy:?3 keV; ?Dose: 5E14/ cm2 Results: Temperature Setting:? 550°C Rs:?Max. 515 ohm/sq Variation: Rs average +/- 3% No Measurable diffusion (SIMS) Particles: 15 Adders @ 0.16 micron particle size (200 mm) @ 3mm edge exclusion Implant P: Energy: 10 keV; ?Dose: 1E15/ cm2 Results: Temperature Setting:? 550°C Rs:?Max.150 ohm/sq Variation: Rs average +/- 3% No Measurable diffusion (SIMS) Particles: 15 Adders @ 0.16 micron particle size (200 mm) @ 3mm edge exclusion 低溫氧化(LTO) 製程溫度 550°C for O3 oxidation 氧化層厚度(Tox)最低可達2nm 成長速率1A/min Tox均勻度(uniformity): 2nm +/- 2 % Angstrom across 200mm wafer NiSi之形成 Temperature 200°C ~400°C Thickness of NiSi: 30nm Rs uniformity: 7 ohm/sq, Rs,avg +/- 2% across 200mm wafer 溫度控制 製程溫度範圍: 50°C ~550°C 溫度控制: +/- 2°C 於升溫或穩態時（ 對應於300mm矽晶圓片） 升溫速度: 1°C ~25°C /sec 晶圓溫度量測與控制 無矽晶圓片間之輻射效應 溫度量測 接觸式K型(K type thermocouple)溫度感測 非接觸式IR溫度感測 微波能量控制 低耗能，微波能量 6kW 微波能量頻率: 6.0 GHz +/- 3% 電磁場均勻度: 2.0 V/mm +/- 0.1 V/mm (wafer surface for 1-5 wafer batch) 無電弧產生 製程模組 提供單片或多片(至少三片)製程 獨立之製程控制系統 可適用於4~12吋晶圓 晶圓可於製程中旋轉增加均勻性 提供N2之氣體冷卻 潔淨度: 15 Adders @ 0.16 micron particle size (300mm, 3mm edge exclusion) 製程晶圓片之金屬雜質 Ca, Cu, Cr, Ni, Zn, Fe 5E10 atoms/cm2; Al 1E11 atoms/cm2 (Based on TXRF or VPD/ASS(Al)) 氣體供應 VCR Gas Panel 4條氣體管路 標準氣體供應 O2: 0-10 slpm N2: 0-20 slpm 軟體 微軟視窗系統，圖形化介面，觸碰式螢幕 主系統之操作控制選項 登入/登出的密碼保護 自動模式之運作 晶圓在製程中之監控 製程參數之管理 硬體 微波反應室(含晶圓乘載台) 六吋及八吋製程配套機件 (Process Kits) 17 吋顯示器 微波安全偵測器及Int