SiC器件领域利分析——摘自《功率半导体器件产业专利分.pptVIP

中华人民共和国国家知识产权局 国家知识产权局专利分析普及推广项目 国家知识产权局专利分析普及推广项目 SiC器件领域专利分析 ——摘自《功率半导体器件产业专利分析报告》 国家知识产权局专利局 电学发明审查部 2013.6.3 中华人民共和国国家知识产权局 国家知识产权局专利分析普及推广项目 * * * 工业和信息化部电子信息司 中国电器工业协会电力电子分会 清华大学 浙江大学 电子科技大学 辽宁大学 中国科学院微电子研究所 中国科学院国家科学图书馆（筹） 中国东方电气集团有限公司中央研究院新能源所 浙江嘉兴斯达半导体有限公司 株洲南车时代电气股份有限公司 北京易能立方科技有限公司 中国电力电子产业网 合作单位 * 一级技术分支 二级技术分支 三级技术分支 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 结构 元胞 终端 模块 封装 工艺 减薄 背面掺杂 金属化 …… 晶闸管 GTO BGT …… 功率二极管 MOS 双极晶体管 1.研究概况 2.功率半导体器件专利态势分析 3.绝缘栅双极晶体管（IGBT） 3.1 产业技术概况 3.2 全球专利申请现状 3.3 中国专利申请现状 4.SiC器件 4.1 全球专利申请现状 4.2 中国专利申请现状 4.3 MOSFET栅氧技术分析 5.英飞凌专利申请分析 6.ABB专利申请分析 7. 重要专利筛选及分析 8. 主要结论 报告框架 定义了重要专利筛选标准 提出了技术周期相对被引指数 以三菱公司为例，对专利申请思路，撰写及布局方式进行分析 * 研发热点——SiC器件 全球专利申请趋势及技术生命周期预测 技术构成 中国专利申请状态 申请人分析 MOSFET栅氧化膜技术 全球专利申请状态 中国专利申请趋势 技术构成 技术发展路线 申请人分析 国内申请布局 * SiC器件技术分解表 全球专利申请趋势 成长期(1991~2000年)：申请人数增多，合作申请较多,如克里和ABB，住友和丰田等 萌芽期(1973~1990年)：80年代申请人增加加快 快速增长期(2001年~至今):申请量稳步增加，其中2011年涨幅高达114.4%。 * 萌芽期 成长期 快速成长期 全球专利申请技术生命周期及申请量预测 Logistic模型 SPSS软件 曲线回归分析 申请量的拐点出现在2015年左右 申请量饱和出现在2025年左右，饱和申请量为7000件左右 采用指标评价法对技术生命周期进行分析 成长率较高，成熟系数无明显增大 新技术特征下降幅度小 处于成长期，有一定的发展空间 全球专利申请--技术构成分析 SiC功率半导体器件的技术集中在日本和美国申请人手中 FET器件申请比例最大，二极管器件次之，IGBT器件，在耐压超过10000V的情况下才更显示出优势，目前申请量不大 FET器件开始开始申请早，申请在1991年开始较多，2001年后增长速度更快 二极管器件，申请在1994年开始较多，2001年后，增长放缓 * 全球专利申请--技术分支申请量年变化 全球专利申请--申请人区域分布及活跃程度 * 国家 总申请量（项） 2006~2010年申请量(项) 2006~2010年 申请比例 日本 1290 581 45.1% 美国 487 142 29.7% 德国 79 18 35.4% 中国 59 37 62.7% 韩国 30 15 50.0% * 全球专利申请—专利流向分布 0 28 0 0 0 6 0 韩国（30） 33 3 9 4 15 28 20 瑞士（39） 0 0 0 61 0 1 0 中国（61） 37 2 0 11 73 39 25 德国（79） 172 77 6 97 58 475 160 美国（478） 189 114 9 157 128 472 1217 日本（1289） 国际申请 韩国 瑞士 中国 德国 美国 日本 首次申请国家/地区 （申请量[项]） 流向国家/地区 　 全球专利申请--申请人排名 申请人 国别 全球申请量 总量占比 多边申请 专利申请 持续时间 2006-2010 申请比例 电装 日本　 184 8.85% 92 1993年至今　 38.04% 三菱 日本　 148 7.12% 45 1997年至今 70.95% 克里 美国　 147 7.07% 90 1991年至今 29.93% 松下 日本　 125 6.01% 43 1997年至今 42.40% 住友 日本　 120 5.77% 37 1999年至今 75.83% 日产汽车 日本　 119 5.72% 38 1999年至今 29.41% 富士 日本 106 5.10% 28 1991年至今 36.79% 东