纽贝尔EMC实验室正式报告范本.doc

产 品 名 称 NAME OF SAMPLE 智能IC读卡锁 产 品 型 号 TRADE MARK TYPE CHD1200M 制 造 厂 商 MANUFACTURER 深圳市纽贝尔电子有限公司 送 检 部 门 CLIENT 生产部 检 验 类 别 TEST SORT 批量生产抽查 检 验 项 目 TEST ITEM 静电放电抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度 测试工程师 TEST ENGINEER 审 核 APPROVED 盖章有效 深圳市纽贝尔EMC实验室  深圳市纽贝尔EMC实验室 检 验 记 录 生产批号 / 抽样母数 100台 抽样地点 / 样品数量 1台 生产日期 -- 抽样日期 / 送检日期 2008年11月14日 检验日期 2008年11月14日--2008年12月4日 检验环境 15～35℃ 45～75%RH 样品说明: 检测样品1台，检测编号：1#，检测前后样品外观完好，功能正常。 测试时供电电压：DC 12V 检验项目: 静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测依据: IEC 61000-4-5:2005、IEC 61000-4-2：2001、IEC 61000-4-4-2004、企业要求 检验概况: 依据标准和企业要求对1台样品分别进行了静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度共3项的检测，测试结果均符合企业要求。详见后页。 检验结论: 共检3项，3项均符合企业要求 抗扰度试验判据说明： 序号 判定准则类别 说明 1 判据A 试验中EUT在规范极限值内性能正常 2 判据B 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复 3 判据C 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位) 4 判据D 试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失 μs（短路电流波形8/20μs），2Ω内阻 正（或负）-地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），12Ω内阻 信号线对线：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），15Ω内阻 信号线对地：电压峰值2kV，开路电压波形1.2/50μs（短路电流波形8/20μs），15Ω内阻 要求符合性能判据B。 试验布置：严格按标准要求。 试验过程：：浪涌（冲击）电压施加在EUT的DC电源和信号线端口，60秒钟一次，正、负极性各做5次。 试验电压由低等级增加到规定的试验等级，较低等级均应满足要求。 EUT表现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全的后果，试验中及试验后，EUT工作正常，表现出抗扰能力。符合性能判据 A 。 描述如下：受试设备在试验前正常工作，试验中及试验后EUT工作正常。符合性能判据要求。 试验照片： 检验项目：静电放电抗扰度试验 依据标准：GB/T 17626.2-2006/IEC 61000-4-2:2001 测试仪器：ESD-20G(20KV)静电放电测试仪 效验时间：2009年9月22日 有效期：1年 试验条件：温度 24 ℃ ，湿度： 52 ％RH ，正常大气压。 电磁条件保证受试设备正常工作，并不影响试验结果。 EUT状态：试验前工作正常，试验中受试设备刷卡及RS485命令开锁正常。，使受试设备处于正常工作状态。 试验等级：a) 接触放电：试验电压6kV。 b) 空气放电：试验电压8kV。 要求符合性能判据 B 。 试验布置：严格按标准要求。 试验过程：a) 对EUT可接触的导电表面、螺钉、端口等金属体进行接触放电，分别选择4个以上试验点进行（每点至少50次，正负极性各25次），其中一个试验点承受水平耦合板前边缘中心距EUT 0.1m处至少50次间接（接触）放电。试验电压4kV，用尖端接触放电枪头，最大放电重复频率为1次/s。试验电压应从最小值逐渐增加至规定的试验值，以确定故障的临界值。 b) 对EUT可接触的壳体表面，按键、指示灯、显示屏、壳体等的缝隙进行空气放电，分别选择3个以上试验点，每点进行至少20次单次放电，正负极性各10次，试验电压8kV，用圆形空气放电枪头。试验电压应从最小值逐渐增加至规定的试验值，以确定故障的临界值。 EUT表现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全的后果，表现出抗扰能力，符合性能判据 B 。 描述如下：受试设备在试验前正常工作，试验中及试验后受试设备工作正常。符合性能判据要求。 试验照片： 检验项目：电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 依据标准：