低温多晶矽(LTPS)TFT-LCD介绍.pptVIP

低溫多晶矽(LTPS)TFT-LCD介紹 報告內容 一、沿革 低溫多晶矽TFT早期製程以半導體設備方式進行，採用SPC(Solid Phase Crystallization)製程，但高達1000度C的高溫製程下，必需採用熔點較高的石英基板，由於石英基板成本比玻璃基板貴10倍以上，且在基板尺寸的限制下，面板大約僅有2至3吋，只能發展小型面板；之後由於雷射的發展，以雷射結晶化(Laser Crystallization)或稱雷射退火(Laser Annealing，簡稱LA)的製程方式來降低溫度，運用此方式可將溫度降到500度C的低溫，所以一般TFT-LCD所用的玻璃基板能被採用，因此大型化面板尺寸才得以實現。 continue 低溫多晶矽自1991年就開始有研究樣品，一直到96年為低溫多晶矽TFT-LCD才真正進入量產，首先由三洋電機推出2.5吋的產品，並搭配在攝錄放影機上銷售，而Sharp、SONY則利用非晶矽TFT-LCD的320mmx400mm基板，調整為低溫多晶矽TFT-LCD生產線，生產數位相機用小型Viewfinder，因此，1996年可稱為低溫多晶矽TFT-LCD元年。而大型、高精細低溫多晶矽TFT問世，是由Seiko Epson在1995年所試作的10.4吋面板，但當時Seiko Epson並沒有採用System On Glass的技術，最初的System On Glass技術是由東芝於1997年為量產所試作的12.1吋面板。 二、簡介 所謂低溫多晶矽（Low Temperature Poly-Silicon；LTPS）是新一代薄膜電晶體液晶顯示器（TFT LCD）的製造流程。 LTPS 〈低溫多晶矽〉就是在攝氏600度C或更低的溫度下經過雷射回火 (Laser anneal)的製程步驟所生產的多晶矽，具有如下優點： １．大幅提升電晶體的載子移動率； ２．高開口率； ３．接點數及零件數減少，可降低材料成本等； ４．可內建驅動IC等週邊電路於玻璃基板上； ５． TFT 反應速度更快且面積縮小； ６．系統設計簡單化； ７．面板可靠度提升。 continue LTPS TFT LCD與傳統非晶矽（a-Si）TFT-LCD最大的差異在於，LTPS的薄膜電晶體經過雷射回火（Laser Anneal）的製程步驟，將(a-Si)的薄膜轉變為多晶矽（Poly-Si）薄膜層，可大幅提升電晶體的載子移動率達200倍以上（~0.5cm2/V.sec. vs.~200cm2/ V.sec）。 Electron MobilityThe electron mobility of LTPS TFT reaches ~200 cm2/V.S, much higher than the ~0.5 cm2/V.S of a-Si TFT. Increased electron mobility enables integration of circuitry on the substrate as well as reducing the TFT dimension. Aperture Ratio The transistor of LTPS LCD is smaller than that of amorphous-silicon; therefore, the aperture ratio and its screen brightness can be increased significantly. Integrated Drivers LTPS allows integration of driver ICs onto the substrate itself. Both the number of external connections and the bezel size of the substrate can be minimized; consequently, the overall system durability can be enhanced at lower cost. Glossary〈專有名詞〉 Laser Anneal〈雷射回火〉低溫多晶矽與非晶矽最大差異在於，LTPS 的薄膜電晶體TFT，經過雷射回火 (Laser anneal)的製程步驟；利用雷射作為熱源，雷射光經過投射系統後，會產生能量均勻分布的光束，投射於非晶矽結構的玻璃基板上，當非晶矽結構玻璃基板吸收雷射的能量後，會轉變成為多晶矽結構。 開口率(Aperture Ratio)開口率即是每個畫素可透光的有效區域除以畫素的總面積，開口率越高，整體畫面越亮。 continue Amorphous Silicon TFT LCD〈非晶矽TFT