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基于STI工艺高压LDMOS器件设计与优化 　　摘要:在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40 V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取, 表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40%,且比导通电阻降低了66.12%。 　　关键字:LDMOS;STI工艺;高压器件 　　 　　Optimization and design of LDMOS Based on STI Technology 　　 　　ZHOU Jie 1,CHEN Li2,GUO Dong-hui1,2 　　(1. Dept. of Phys., Xiamen Univ., Xiamen, Fujian 361005, P. R. China; 　　2. Dept. of Elec. , Xiamen Univ. , Xiamen, Fujian 361005, P. R. China) 　　 　　Abstract:For suppre