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基于温度补偿无运放低压带隙基准源设计 　　摘要：设计了一种带温度补偿的无运放低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术，通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路，基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在0.5 μm CMOS N阱工艺条件下，采用spectre进行模拟验证。仿真结果表明，在3.3 V条件下，在－20～100 ℃范围内，带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为35.6 ppm/℃和37.8 ppm/℃，直流时的电源抑制比为－68 dB，基准源电路的供电电压范围为2.2～4.5 V。 　　关键词：基准电压； 基准电流； 带隙负载结构； 温度系数； 电源抑制比 　　中图分类号：TN919?34文献标识码：B文章编号：1004?373X(2012)04?0145?03 　　Design of low voltage bandgap reference sources with temperature compensation 　　but without operational amplifier 　　LI Kai, ZHOU Yun, JIANG Ya?dong 　　(State Key Laboratory of Electronic Thin?film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China） 　　Abstract： A low voltage bandgap reference circuit with temperature compensation but without operational amplifier is designed. Techniques for generating both the bandgap reference voltage source and reference current source are proposed. By modifying the bandgap load or the reference core circuit in the bandgap reference circuit, the temperature dependences of the reference voltage output and the current output can be compensated separately. The Spectre is adopted to carry out the simulation verification under the condition of 0.5 μm CMOS N well technology. The simulation result shows that while they are operating at 3.3 V and in－20 ℃～100 ℃, the temperature coefficients of bandgap reference voltage source and the current source are 35.6 ppm/℃ and 37.8 ppm/℃ PSRR is －68 dB at DC, and the power supply voltage of the reference source circuit is at the range of 2.2～4.5 V. 　　Keywords： reference voltage; reference current; bandgap load; temperature coefficient; PSRR 　　 　　收稿日期：2011?08?26 　　基金项目：国家自然科学基金资助项目;电子科技大学富通翱翔计划科研基金（FTAX201013）带隙基准源是集成电路中一个重要的单元模块。目前，基准电压源被广泛应用在高精度比较器、A/D和D/A 转换器、动??随机存取存储器等集成电路中［1?2］。随着大规模集成电路的发展，具有低温漂的基准电压源与基准电流源越来越多地被要求设计在同一个集成电路中。传统的带隙基准源电路一般以产生低温漂的基准电压为设计目的，由于薄膜电阻阻值受温度影响，并不能得到温度特性较好的基准电流。 　　本文结合低压技术，利用薄膜电阻的正温度系数对基准电流进行补偿，通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构对基准电压进行补偿，基准电压和基准电流可以同时分别进行