太阳能发电原理及各制程制备原理.pptVIP

内容 太阳能电池原理 工艺流程 核心制程参数 非晶硅材料 光电效应 所有的物质均有原子组成,原子由原子核和围绕原子核旋转的电子组成.半导体材料在正常状态下,原子核和电子紧密结合(处于非导体状态),但是在光能刺激下,原子核和电子的结合力降低,电子摆脱原子核的束搏,成为自由电子. 光伏效应示意图 PN结 如果仅仅有电子对，而电子对没有形成一定的方向性，那么就无法得到光电流。 P/N结 PIN结 因为非晶硅材料属于短程有序，长程无序的晶体结构，对光载流子有很强的散射作用，导致载流子的扩散长度很短，使得光生载流子在太阳能电池中只有漂移运动而无扩散运动．因此，单纯的p－n结中，隧道电流往往占主导地位，使其呈电阻特性，而无整流特性。为此，要在p层于n层之间加入较厚的本征层i，以遏制其隧道电流，所以为了解决光生载流子由于扩散而很快复合，非晶硅薄膜太阳能电池一般设计成pin结构，其中p为入射光层，i为本征吸收层，n为基底层． A-si map 每层作用 P:P型半导体，掺杂B，主要用于收集空穴 PIB，P层和I层中的Buffer，过渡层渐少光致衰减效应(S-W 效应) I：本征层，在光照下产生光载流子 N+:I层和N层之间的过度层 N++:N型半导体，掺杂P，主要用于收集电子。 CVD 制程 主要制程参数： Substrate temp Gas flow Power Spacing Process pressure S-W效应 a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照射或电流通过,在其内部将产生缺陷而使薄膜的使用性能下降,称为Steabler-Wronski效应。 S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态(深能级),这种缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级EF的位置,从而使电子的分布情况发生变化,进而一方面引起光学性能的变化,另一方面对电子的复合过程产生影响。这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心,使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 P层主要参数 RF Power 2900 Watt Spacing 640 mil Pressure 2500 mTorr Temperature outer 200 °C Temperature inner 195 °C SiH4 8850 sccm H2 42000 sccm TMB 9000 sccm CH4 8550 sccm P层反应化学式 P层各种气体功能 SiH4：主要气体，产生a-Si的主要成分 H2用来补足a-Si的氢键 CH4：用来提供C键，改变薄膜光电性质 TMB：对a－Si:H:C进行掺杂，使其成为a－Si:H:B:C PIB层主要参数 RF Power 1600 Watt Spacing 640 mil Pressure 3000 mTorr Temperature outer 200 °C Temperature inner 195 °C SiH4 4800 sccm H2 120000 sccm I层主要参数 RF Power 2550 Watt Spacing 640 mil Pressure 2500 mTorr Temperature outer 200 °C Temperature inner 195 °C SiH4 9000 sccm H2 112500 sccm I层反应化学式 N+层主要参数 RF Power 4500 Watt Spacing 640 mil Pressure 1500 mTorr Temperature outer 200 °C Temperature inner 195 °C SiH4 11950 sccm H2 56500 sccm 0.5%PH3 4000 sccm N层反应方程式 N++层主要参数 RF Power 3200 Watt Spacing 640 mil Pressure 1500 mTorr Temperature outer 200 °C Temperature inner 195 °C SiH4 3000 sccm H2 13500 sccm 0.5%PH3 9900 sccm 微晶硅 微晶硅其实是非晶硅的改良材料，其