高精度实时时钟SD2500RAM.PDFVIP

SD2500 高精度实时时钟RAM系列 V2.1 高精度实时时钟－SD2500RAM (V2.1) 内置晶振、NVSRAM、温度补偿、电池电量监测、IIC 串行接口、多种中断输出、高精度 1.概述 SD2500RAM系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC 串行接口的高精度实时时钟芯片, CPU可使用 该接口通过7位地址来寻址读写片内122字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、温 度寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。 SD2500RAM系列芯片内置晶振及数字温度补偿，用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带 来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题，实现在常温及宽温范围内不需用户干预、 全自动、高可靠计时功能;SD2500可保证时钟精度为±5ppm(在25℃左右)，即年误差小于2.6分钟； 该芯片内置一次性电池,在电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)。 SD2500RAM系列内置8字节的ID，每一颗芯片具备唯一的身份识别码。 SD2500RAM系列芯片内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间可最长设至100年;该系列芯片可 满足对实时时钟芯片的各种需要，有工业级产品可供选择，且软件和管脚与以前的SD2400RAM兼容, 是在选用高精度实时时钟时的理想选择。 2.主要性能特点：  低功耗：典型值0.6μA （V 3.0V,Ta 25℃）。 BAT 0 70 40 +85  工作电压：3.3V～5.5V,工作温度：民用级 ℃～ ℃，工业级－ ℃～ ℃。  标准IIC总线接口方式,最高速度400kHZ。  年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。  闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。  可选择12/24小时制式。  5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位.  内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及 1字节的报警允许寄存器， 共有96种组合报警方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式，报警时间最长可设 至100年。  周期性频率中断输出:从4096Hz～1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲。  自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟）， 最小定时为244us，最长定时可到31年，通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。  70Bytes通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。 16kbit 512kbit SRAM(C/D/E/G ) 100  内置 ～ 的非易失性 型 ，其擦写次数 亿次，且没有内部写延时。  内置电池使用寿命—一次性民用级:3~5年, 一次性工业级:5~10年。  后备电池输入脚V :当内部电池因寿命等原因报废时,可用外加的电池给时钟作备电。 BAT  具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出  内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温 一次，电池模式600S间隔测温一次。  内置晶振和谐振电容，芯片内部通过高精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能， 2.6 其中25℃精度±5ppm，即时钟年误差小于 分钟(在25±1℃下)。  内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低电池报警电压值并从 INT脚输出中断。  芯片依据不同的