特定能谱X射线辐照下复杂屏蔽体中硅器件吸收剂量测量.pptVIP

谢 谢 大 家 特定能谱X射线辐照下复杂屏蔽体中硅器件吸收剂量测量 周 海 生 1.X射线对元器件的辐射危害 2.特定能谱的X射线辐射场的建立 3.X射线屏蔽体的特点及对探测器的要求 4.热释光探测器的使用及吸收剂量的换算 5.实验结果 6. 结 论 研究表明，X射线对电子系统的影响不可忽视。X射线在电子元器件中会产生电离效应而导致器件不同程度的损伤。由于X射线辐射对器件和集成电路产生剂量增强效应，在辐照相同剂量的情况下，X射线造成的损伤比γ射线要严重。 高空核爆辐射环境中，爆炸能的约70-80%以X射线的形式释放，能量范围在0.1-100keV，在高空衰减很少，对飞行器威胁很大。 1.X射线对元器件的辐射危害 2.特定能谱分布的X射线辐射场的建立 我们利用束流稳定的直流X光机模拟获得和核爆X射线等能谱相似的辐射场。 高总剂量 高剂量率 能谱难以 直接获取 2.1能谱构造基本原理和方法 ：目标能谱 ：一组线性无关的能谱 ：构造系数 基本方法：采用类似函数逼近的方法，利用能谱叠加进行构造。 单能能谱叠加 优点：1)构造精度高 2)对目标能谱无特殊要求 缺点：1)要求子谱多，测量时间 长 2) 对射线源要求高，实现难度大 连续能谱叠加 优点：1)覆盖能谱区间大，所需子谱少