高频电路基础3滤波器与阻抗变换.pptVIP

晶体管中通过发射结的少数载流子，大部分由集电极收集，形成集电极电流，少数部分载流子被基极流入的多数载流子复合，产生基极电流。 由于基极中载流子的复合也具有随机性，即单位时间内复合的载流子数目是起伏变化的。 晶体管的电流放大系数α、β只是反映平均意义上的分配比。 这种因分配比起伏变化而产生的集电极电流、基极电流起伏噪声，称为晶体管的分配噪声。 分配噪声本质上也是白噪声，但由于渡越时间的影响，当三极管的工作频率高到一定值后，这类噪声的功率谱密度将随频率的增加而迅速增大。 2. 分配噪声 第32页/共41页 3. 闪烁噪声 由于半导体材料及制造工艺水平造成表面清洁处理不好 而引起的噪声称为闪烁噪声。 它与半导体表面少数载流子 的复合有关，表现为发射极电流的起伏，其电流噪声谱密度 与频率近似成反比，又称1/ f 噪声。 因此，它主要在低频 （如几千赫兹以下）范围起主要作用。 这种噪声也存在于 其他电子器件中，某些实际电阻器就有这种噪声。 晶体管 在高频应用时，除非考虑它的调幅、调相作用，这种噪声的 影响也可以忽略。 第33页/共41页 3.2.4 场效应管噪声 在场效应管中，由于其工作原理不是靠少数载流子的运 动，因而散弹噪声的影响很小。 场效应管的噪声有以下几个方面的来源： 沟道电阻产生的热噪声，沟道热噪声通过沟道和栅极电容的耦合作用在栅极上的感应噪声，闪烁噪声。 必须指出，前面讨论的晶体管中的噪声，在实际放大器 中将同时起作用并参与放大。 有关晶体管的噪声模型和晶体管放大器的噪声比较复杂，这里就不讨论了。 第34页/共41页 3.2.5 接收天线噪声 接收天线端口呈现噪声有两个来源： 第一是欧姆电阻产 生的噪声（通常可以忽略）；第二是接收外来噪声能量，其 一是接收周围介质辐射的噪声能量，其二是宇宙辐射干扰也 会被天线接收。 因此，天线噪声是与其周围的介质温度、天线的指向及频率有关的物理量。 为了工程的方便，统一规定用天线的辐射电阻RA（是计算天线辐射功率大小的一个重要参量，不是天线的欧姆电阻）在温度TA产生热噪声来表示天线的噪声性能。 TA称为天线的有效噪声温度。 第35页/共41页 研究噪声的目的在于如何减少它对信号的影响。 因此，离开信号谈噪声是无意义的。 从噪声对信号影响的效果看，不在于噪声电平绝对值的大小，而在于信号功率与噪声功率的相对值，即信噪比，记为S／N（信号功率与噪声功率比）。 即便噪声电平绝对值很高，但只要信噪比达到一定要求，噪声影响就可以忽略。 否则即便噪声绝对电平低，由于信号电平更低，即信噪比低于1，则信号仍然会淹没在噪声中而无法辨别。 因此信噪比是描述信号抗噪声质量的一个物理量。 2.4.3 噪声系数和噪声温度 第36页/共41页 1. 噪声系数的定义 噪声系数可由下式表示 设Pi为信号源的输入信号功率，Pni为信号源内阻RS产生的噪声功率，Po和Pno分别为信号和信号源内阻在负载上所产生的输出功率和输出噪声功率。 图2-38 噪声系数的定义 要描述放大系统的固有噪声的大小， 就要用噪声系数，其定义为 或 第37页/共41页 信噪比与负载的关系 设信号源内阻为RS，信号源的电压为US（有效值），当它与负载电阻RL相接时，在负载电阻RL上的信噪比计 算如下： 信号源在RL上的功率 信号源内阻噪声在RL上的功率 在负载两端的信噪比结论： 信号源与任何负载相接本不影响其输入端信噪比，即无论负载为何值，其信噪比都不变，其值为负载开路时的信号电压平方与噪声电压均方值之比。但与输入端的匹配情况有关。不同的匹配下，网络内部产生的附加噪声及功率倍数是不同的。 在负载两端的信噪比 第38页/共41页 2. 等效噪声温度 为了更精细地表示噪声系数，常采用噪声温度。内部附加 噪声折算到输入端，相当于提高了信号源内阻的温度。即折 算到输入端为 所以，噪声系数为 则，等效噪声温度为 第39页/共41页 2.4.4 用额定功率和额定功率增益表示的噪声系数 1.额定功率---又称可用功率或资用功率。是在匹配情况下的最大输出功率。任何电阻的额定噪声功率是kTB. 放大器输入信号源电路如图3.5所示。 任何信号源加上负载后，其信噪比与负载大小无关，信噪比均为信号均方电压（或电流）与噪声均方电压（或电流）之比。 放大器的噪声系数NF为： Psmi和Psmo分别为放大器的输入和输出额定信号功率，Nmi和Nmo分别为放大的输入和输出额定