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等刻常见问题 1，过刻 2，钻刻 3，刻蚀不足 刻蚀不足： 指的是刻蚀不足边缘测试结果仍成N型的硅片。 原因:由于设备刻蚀效果不好或出现其他异常情况以及一些人为因素导致硅片边缘刻蚀不足 处理措施:根据不同情况进行补刻工艺，时间在200~800s范围内 过刻和钻刻：刻蚀后显P型的距离范围超过1.5mm的情况或钻蚀严重者。 原因:1夹具的原因导致夹好的硅片一边松一边紧受力不均，或四周不整齐有突出来的现象，还有就是硅片崩边所致的局部过刻和钻刻现象。 2 由于操作员的操作不规范的原因，选用的陪片有缺角崩边的现象。 3设备压力时常不稳定。 处理措施:此种情况下的硅片应挑捡出不予流到下一工序。规范操作员的操作。避免使用有缺角崩边陪片。设备压力不稳定时，我们可以采取改变气体流量来稳定压力。应及时更换夹具。 * 钝化技术 氢钝化：钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。 晶界 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) “等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积 原理: 借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 基本特征:实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。 1.节省能源，降低成本 2.提高产能 3.减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 PECVD镀SiNx:H薄膜-PECVD技术 刻蚀+PECVD工艺报告 北京中联科伟达技术股份有限公司 工艺研发部 概述 等离子刻蚀: 等离子刻蚀原理 等离子体刻蚀机组成 等离子体刻蚀质量控制及检测 拟解决的问题 PECVD镀SiNx:H薄膜 PECVD镀膜技术 PECVD工作流程 SiN薄膜质量异常 拟解决的问题 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。（这是各向同性反应） 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子刻蚀的基本原理 等离子刻蚀的基本原理 等离子刻蚀的基本原理 母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 以及它们的离子 C F, CF, , CF , CF CF 2 3 e 4 ? ? ? 等离子刻蚀机的组成 等离子刻蚀机的组成： 1、反应室 2、真空系统 3、送气系统 4、高频电源 5、匹配器 反应室： 里面是石英缸，外面 是线圈，线圈在高频 电的激发下起辉，产 生微波与石英缸内的 特气反应，生成活性 离子基。 等离子刻蚀机的组成 石英缸 线圈 真空系统： 采用机械泵抽真空(上海鑫磊公司生产)。主要是用泵对反应室抽真空，把一些反应生成物通过真空系统抽到尾气排放管道。 等离子刻蚀机的组成 送气系统： 刻蚀常用的工艺气体CF4和O2，在车间外面有特气房，通过管道和刻蚀机的进气孔连接到一起，在车间内有阀门，用的时候打开阀门就可以使用了 高频电源： 给线圈放高压电 等离子刻蚀机的组成 高频电源 匹配器 使功率稳定在一个固定的位置，只能微调，主要还是调高频电源上的功率调节旋扭。 等离子刻蚀机的组成 等离子刻蚀操作流程 负载容量（片） 工作气体流量（sccm） 气压（mbar) 辉光功率（W） 反射功率（W） CF4 O2 N2 286 210 21 －－ 100 500 0 工作阶段时间（s） 辉光颜色 预抽 主抽 充气 辉光 清洗 充气 腔体内呈乳白色，腔壁处呈淡紫色 80 60 150 1000 60 180 等离子刻蚀质量控制－工艺参数 工艺参数 *可根据生产实际做相应的调整 短路形成途径 在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 控制方法 对于不同规格的硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。 边缘