半导体制造工艺复习资料.doc

选择题 1. 在晶体的生长过程中，晶体中初始的掺杂浓度为k0C0，如果k0 1，掺杂浓度将会持续（ ）。（其中k0为平衡分凝系数） A 增加 B 不变 C减少 D 都有可能 2. 实际的晶体（如硅晶片）与理想的晶体有显著的差异，如图所示的点缺陷为（ ）。 A 替位杂质 B 填隙杂质 C 空位 D Frenkel 3. 实际的晶体（如硅晶片）与理想的晶体有显著的差异，晶体的缺陷有四种类型，其中孪晶（twins）和晶粒间界属于（ ）。 A 点缺陷 B 线缺陷 C 面缺陷 D 体缺陷 4. MOS器件也会受到氧化层中的电荷和位于二氧化硅—硅界面处的势阱的影响。这些势阱和电荷的基本类别可以分为界面势阱电荷、固定氧电荷、氧势阱电荷和可移动的离子电荷，如图中1中所示为（ ）。 A 界面势阱电荷 B 固定氧电荷 C 氧势阱电荷 D 可移动的离子电荷 5. 一个投影系统的分辨率可以表示为 ，λ是光源波长，k1为与工艺有关的参数，DNA是数值孔径。下列方法中不能提高分辨率的是（ ）。 A 减小波长 B 增大DNA C 既减小波长又增大DNA D 增大k1 6. 在湿法化学刻蚀工艺中，可作为二氧化硅刻蚀剂的是（ ）。 A 硝酸和氢氟酸在水中的混合液 B 加入氟化铵的HF溶液 C 沸腾的磷酸溶液 D 加热的磷酸、硝酸、醋酸和去离子水 7. 当扩散系数随掺杂浓度而变化时，γ为描述与浓度关系的参数，实测的硼和砷在硅中的扩散系数和掺杂浓度的关系可表示为γ≈1。其浓度分布非常陡，则图中可用来描述其关系的曲线是（ ）。 A （a）线 B （b）线 C （c）线 D （d）线 8.在离子注入工艺中, 磷的交叉能量是130keV。E0大于130keV时，磷消耗能量主要是通过( ) 。 A 电子阻止 B 核阻止 C 电子阻止和核阻止起同等的作用 D 两者都不是 9. BiCMOS技术是将CMOS和双极型器件结构结合在单一IC芯片中的技术，它同时具有CMOS和双极型器件的优点。下列选项CMOS不具有优势的是（ ）。 A 功耗 B噪声容限 C 开关速度 D封装密度 10.与新制造工艺和电路方法结合的砷化镓工艺技术的进展，使得发展“类硅”砷化镓IC技术成为可能。与硅相比，砷化镓固有的优势是（ ）。 A能够制作半绝缘材料，可以提供晶格匹配的介质绝缘衬底 B、较长的少子寿命 C 有稳定的自然保护氧化层 D晶体缺陷多，比硅低许多数量级。 11. 对于集成电路来说，测试工艺过程主要取决于芯片测试是针对逻辑器件还是存储器件。无论哪一种情况，自动测试设备（automated test equipment, ATE）是使用针刺测量芯片的方法并记录测试结果。ATE的主要功能不包括（ ）。 A 输入图形的产生 B、图形应用 C 输出响应检测 D 短路或开路检测 12. 一个集成电路必须被装配、焊接到某个封装里，然后被粘接到印刷电路板上，这样才能使它在某个电子系统中发挥作用。下列不是芯片封装的互连方法的是（ ）。 A 引线键合 B 倒装芯片键合 C 和载带自动键合 D芯片尺寸封装 13.下图中，属于明装封装封装的是（ ）。 14. 成品率与缺陷密度、临界面积的关系是很复杂的，它和电路尺寸、光刻图案的密集度、光刻工艺的步骤数目等因素都有关，很多模型都试图将这种关系数量化，其中属于三角Murphy模型概率密度函数的图形是（ ）。 填空题 第五章 1. 对硅晶格，（111）晶面比（110）晶面和（100）晶面的每个单元上有更多的化学键，因此，