改性二氧化钛对室内气态甲醛光催化降解实验分析-experimental analysis of photocatalytic degradation of indoor gaseous formaldehyde by modified titanium dioxide.docxVIP

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2018-05-30 发布于上海
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改性二氧化钛对室内气态甲醛光催化降解实验分析-experimental analysis of photocatalytic degradation of indoor gaseous formaldehyde by modified titanium dioxide.docx

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改性二氧化钛对室内气态甲醛光催化降解实验分析-experimental analysis of photocatalytic degradation of indoor gaseous formaldehyde by modified titanium dioxide

10 hours res严ctively. By characterization of microstructure ，it shows that doping mOlification of Ti02 can not only promote growth of the Ti02 particle，but also improve its photocatalytic activity. The surface area will reduce greatly with the growth of Ti02 particle. It willlead to lower the photo catalytic activity. If the size of Ti02 is controlledin the pro饵SS of modification. phot∞latalytic activity would be improved greatJy.Key word: Modified Ti02: Phot∞atalytic activity: Formaldehyde: Air purification:Indoor air quality·、IIIk目录第 1章绪论................................….........…........…….........…..............…...........…..........11.1课题研究背景..........….................…….......….................….......…..... ..…......... ..11.2 国内外研究概况.................…................……...................................................41.2.1 光催化氧化反应机理....... ...…...........…..…......…................… ................51.2.2 影响半导体 Ti02光催化的因素..........…..…..….81.2.3提高光催化的途径…..…................................…..…..…..…..…..................101.2.4应用范围及未来发展方向......................…....……............................ ......131.3 存在的问题........................... ........................................................................… 131.4 课题研究的内容...................……... ......……......................…..… ........................ 141.5 本课题的研究目的及意义.………...............…............ ....................…….......…..14 第 2 章实验方案............….................................... .................. …....................…........16 2.1制备样品的选择.........…..........…….......…................….................………..…… 162.1.1 Ti02半导体表面贵金属掺杂 H……........….................... ....................…..162.1.2 制备复(藕)合半导体..........…................….................................….......… 172.1.3 TiO?表面稀土掺杂离子掺杂 .....................…..............…182.1.4Ti02半导体表面非金属掺杂………….............……........................… ..182.2 制备方法的确定.............…........…...........…........................