田民波《电子封装》习题选解教材课程.pptVIP

* * 田民波《电子封装》习题选解（期末考试版）2010年6月12日制作 材料科学与工程系 刘若晴 2007011980 刘若晴博客/liurq07，如需更多资料可在博客上给我发纸条，告知你的邮箱。 说明：从清华大学材料科学与工程系田民波教授《电子封装》72道习题中选择一部分我认为很可能考试的题目汇集成幻灯片，供应付电子封装课程期末考试所用。根据田民波教授考前划定的范围，17、19、20、29、30、35、45、46、48、52、53、58、59、61、62、63、64、69、70、71、72题不考。 中英文概念对应（1） ALIVH Any Layer Inner Via Hole Structure 任意层内互联孔结构 BBit Buried Bump Interconnection Technology 埋置凸点互联技术 BGA Ball Grid Array 球栅阵列封装 CSP Chip Scale Package 芯片级封装 FCA Flip Chip Attach 倒装芯片封装 FCB Flip Chip Bonding 倒装焊微互联 HTCC High Temperature Cofired Ceramics 高温共烧陶瓷 ILB Inner Lead Bonding 内侧引线键合 LSI Large Scale Integration 大规模集成电路 OLB Outer Lead Bonding 外侧引线键合 PCB Printed circuit board 印制电路板 PCVD Plasma Chemical Vapour Deposition 等离子体化学气相沉积 PDP Plasma Display Panel 等离子体显示板 中英文概念对应（2） QFD Quad Flat Package 四侧引脚扁平风阻昂 RCC Resin Coated Copper 涂树脂铜箔 SiP System in a Package 封装内系统（系统封装） SoC System on a Chip 芯片上系统（系统集成） SMD Surface Mount Devices 表面贴装元件 SMT Surface Mount Technology 表面贴装技术 TAB Tape Automatic Bonding 带载自动键合 TFT Thin Film Transistor 薄膜三极管 UBM Under Bump Metal 凸点下金属 ULSI Ultra Large Scale Integration 超大规模集成电路 WB Wire Bonding 引线连接 7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。 干法刻蚀优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。 干法刻蚀缺点：成本高，设备复杂。 湿法刻蚀优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。 湿法刻蚀缺点：钻刻严重、对图形的控制 性较差，不能用于小的特征尺寸，会产生大量的化学废液。 11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化学气相沉积（PCVD）的工艺特征 从气氛压力、材料供给（方法）、材料温度、基板温度和材料、膜面积、膜厚、膜厚控制、析出速度、附着性、外延特性、可应用的对象、激发介质等方面进行比较。 参考田民波《电子封装工程》清华大学出版社2003年9月版，145页 36.常用积层（build-up）式基板共有哪几种类型，分别给出其制作工艺流程。 铜箔掩膜-激光制孔-全面电镀方式（涂树脂铜箔方式（RCC））：芯板（多层板）→铜箔粘压→光刻法刻蚀铜箔成孔做掩膜（或直接）激光制孔→去除孔壁树脂残留化学镀铜全面镀铜→表面电路图形蚀刻成形→制成两层导体层 激光蚀孔-图形电镀法（热固性树脂方式）：芯板（多层板）→热固性树脂涂布或粘压→激光蚀孔→表面粗化化学镀铜→由电镀阻挡层形成待镀图形、图形电镀铜→电镀阻挡层蚀刻→完成两层导体层积层 光刻蚀孔-板面电镀法（感光性树脂方式）：芯板（多层板）→感光性树脂涂布或粘压→曝光显像→粗化处理镀铜全面镀铜→光刻制作表面电路图形→完成两层导体板积层 转印法：金属板平面镀铜→待镀电路图形制作图形电镀→粗话处理→激光蚀孔制作通孔→化学镀铜电镀铜→添加第二层涂层→制作第二层的层间互连孔 ALIVH法：芳酰胺不织布半固化片→激光蚀孔→空中填充导电浆料与铜箔叠层→加压积层→光刻制作表面图形→按次序叠层→加压积层→光刻制作表面图形→重复实现多层积层 BBit法：多次印制形成导电浆料凸块→凸块穿透半固化片→积层粘附、压接→光刻形成表面图形→层间连接凸块 39.制作LTCC多层基板有哪些关键的工艺因素？ 玻璃浆料原料→流延片→生片→制作