硅集成电路工艺基础 第一篇 章 诸论.pptVIP

Si集成电路工艺基础;本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺，介绍各项工艺的物理基础和基本原理，主要内容包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后简要介绍集成电路的工艺集成。 本课程也是从事微电子相关领域（如太阳电池、半导体器件、激光器、LED和TFT等）的研究和工作的基础课程。;本课程学习的目的;教材与参考书;教学方式： 课堂讲授为主，每周2学时。 成绩评定： 期末考试：80%，考勤+作业：20 %。;第一个晶体管的发明者： Willian Shockley、John Bardeen、Walter Brattain;1950年代—— 晶体管技术不断发展;第一个集成电路(IC)器件。 1958年7月24日，德州仪器（Texas Instruments）的雇员Jack Kilby，在笔记本中写道：如果电路元件，比如电阻，电容可以使用同种材料制造，则有可能将整个电路加工在单个片子上“single chip”。 当时的真空条件很差的情况下，Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路，1959年Kilby提交了专利申请 US3,138,743：Miniaturized electronic circuits并获得授权。 2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖。 ;1961年，第一个Si集成电路(IC)产品， 由德州仪器(Texas Instrument) 的Jack Kilby制备完成。 ;1960年代—— 集成电路产业快速发展 ;2、半导体制造商激增 。 1961年，Signetics公司。 1968年，Robert Noyce、Gordon Moor、Andrew Grove成立了Intel公司。 1969年，Jerry Sanders和其他FairChild Semiconductor 科学家成立了AMD（Advanced Micr Devices）公司。;3、半导体产业出现分工 。 出现了专门从事供应的行业，这些行业提供半导体产业必需的化学材料和设备。;1970年代—— 行业竞争加剧;2、70年代生产设备实现了半自动操作 3、出现了标准化组织 1970年，SEMI (Semiconduct or Equipment and Meterials International)国际半导体设备及材料协会成立。 1977年，SIA(Semiconductor Industry Association ) 半导体协会成立。 4、建厂费用激增;1980年代——自动化;2、生产设备自动化 包括全部的重要硅片加工步骤，大幅度减少工艺中的操作者，这使得硅片制造厂的启动成本快速增加，到80年代后期，上涨到接近10亿美???。 ;1990年代—— ;IC 规模分类;1、 提高芯片性能 缩小最小特征尺寸 (Critical Design)。 特征尺寸：芯片上的物理尺寸，如线宽、间距、接触孔等 。;2) 提高集成度;3) 降低功耗;半导体工业的发展路线图;特征尺寸和硅片尺寸;集成电路几何学上的限制;集成电路器件的限制;目前已知的特征尺寸最小的晶体管，由日本NEC于1997年制备完成（14nm）;2 提高芯片的可靠性;随着集成电路产业的发展，对超净环境的要求越来越高。;3 降低价格;集成电路的基本工艺流程;第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点;单晶结构---晶体由单一的晶格连续组成;多晶结构---晶体由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成;非晶结构---固体原子无规则地堆积而成;晶格： 配置有原子、分子、离子或其集团的空间点阵，可以看成是由质点在三维空间按一定规则周期重复性排列所构成，这种周期性结构为晶格。 晶胞：能够最大限度地反映晶体对称性质的最小单元 。 晶格常数 ：晶胞的边长 300K时，a＝5.4305?（Si），5.6463?（Ge） ;简立方晶格;体心立方晶格;面心立方晶格;;晶胞体积为：a3 一个原子占据的空间为：a3/8 原子密度——单位体积含有的原子个数为：8/a3＝5?1022/cm3——硅 4.42?1022/cm3——锗 ;3 共价四面体;4 晶体内部的空隙;1.2 晶向与晶面;100： 110： 111：;{100} {110} {111};1.3 硅晶体中的缺陷;线缺陷---位错;1.4 硅中的杂质;;硅衬底及掺杂剂;单晶硅的N型掺杂;单晶硅的P型掺杂;掺杂浓度和电阻率的对应关系;半径比硅小的杂质，如B、P，对周围晶格产生张应力 而半径比硅大的杂质，如As，对周围晶格产生压应力 “应力补偿”原理，消除失配位错。——完美扩散; 形成替位式