第一篇 章第一节半导体的晶格结构和结合性质 半导体课件.ppt

理论体系;(3) 金属导电的自由电子理论: Fermi 统计 1897: 电子的发现(Thomson) 1900: 金属电导和热传导的经典自由电子理论(Drude) 1924: 基于Fermi统计的自由电子理论(Pauli 和 Sommerfield) (4) 铁磁性研究:自旋量子理论 1894: 测定铁磁--顺磁转变的临界温度(Curie) 1907: 铁磁性相变的分子场理论(Weiss) 1928: 基于局域电子自旋相互作用的铁磁性量子理论 另外: 电子衍射的动力学理论(Bethe) 金属导电的能带理论(Bloch) 基于能带理论的半导体物理(Wilson); 凝聚态物理学 凝聚态物理从微观角度出发,研究相互作用多粒子系统组成的凝聚态物质(固体和液体)的结构和动力学过程, 及其与宏观物理性质之间关系的一门科学. 和固体物理相比, 凝聚态物理: (1) 研究对象日益扩大和复杂； (2) 基本概念和理论工具已大为丰富； (3) 作为固体物理学分支的金属物理, 半导体物理, 磁学, 低温物理, 电介质物理之间交叉日益密切； (4) 一些新的分支如无序系统物理学, 准晶物理学, 介观系统物理学, 团簇物理学被开拓和建立起来。;要讲授的内容： 半导体的晶格结构和电子状态(第一章) 杂质和缺陷能级(第二章) 载流子的统计分布(第三章) 载流子的散射及电导问题(第四章) 非平衡载流子产生、复合及其运动规律(第五章) 半导体的表面和界面-包括p-n结、金属和半导体的接触、半导体表面及MIS结构、异质结(第六~九章);第一章 半导体中的电子状态 ;图1-1 (a) ;3) 面心立方格点的原子B和体内对角线上的原子A不等效。因为围绕A和围绕B构成的四面体具有不同的方位； 4) B-面心立方格子沿体对角线平 移1/4体对角线长与A一面心立 方格子重合。两者格子不等效 ----复式格子； 5) 每个晶胞中含8个原子(顶角1+面 心3+体内4) 。;{100}面上的投影 ;{111}面上的投影 ; 硅和锗的晶格常数a分别为0.543089nm和0.565754nm。硅每立方厘米体积的晶体内有5.00×1022个原子，锗有4.42×1022个原子。;二、闪锌矿型结构和混合键 (一) Ⅲ-Ⅴ族半导体 Ⅲ族元素铝(Al)，镓(Ga)，铟(In)和Ⅴ族元素磷(P)，砷(As)，锑(Sb)合成的Ⅲ-Ⅴ组化合物都是半导体材料，它们绝大多数具有闪锌矿型结构，与金刚石型结构类似。 ;(2) 每个原子被四个异族原子包围。 (3) 每个晶胞中有四个Ⅲ族原子和四个Ⅴ族原子，共有八个原子。晶胞体内的四个原子与面心立方位置上原子不同。 ;(二) Ⅱ-Ⅵ族半导体 由Ⅱ族元素锌（Zn）、镉（Cd）、汞（Hg）和Ⅵ族元素硫(S)、硒(Se)、碲(Te)合成的Ⅱ-Ⅵ族化合物，除硒化汞、碲化汞是半金属外，都是半导体材料，他们大部分也都具有闪锌矿型结构。但是，其中有些也具有六角晶系纤锌矿型结构。 ;纤维锌矿结构： ZnO、GaN、AlN、ZnS、ZnTe、CdS、CdTe……