3.3.3 半导体只读存储器.pptVIP

3．可擦除可编程只读存储器 采用可以用紫外光擦除原存信息的EPROM存储元电路。 这种EPROM芯片上有一个石英玻璃窗口。若想擦除原存信息，则用紫外光照射这个窗口，使存储元恢复1状态。经擦除过的EPROM芯片可以再写入新的信息。写入后的芯片作为只读存储器使用。 4．电可擦除电可改写的只读存储器 电可擦除电可改写的只读存储器 又记为EEPROM。 本身带有Vpp编程电源，故可以使用单一的十5V电源擦除和写入。 可作为调试阶段的代码存储器，掉电后不会丢失片内信息。使用灵活、方便。 但由于它可以在线修改，所以它的可靠性不如EPROM。 5．几种新型存储器 （1） NOVRAM NOVRAM是一种不挥发随机存取存储器。所谓“不挥发”，就是在关掉供电电源之后，存储器中的信息不会丢失。保存时间在10年以上。 其典型产品为带有锂电池保护的静态随机存取存储器（SRAM）． 是一种厚膜集成电路，将SRAM、微型电池、电源检测和切换开关封装在一个芯片中。因此，其厚度比普通SRAM芯片要大些，而引脚与普通SRAM芯片兼容。 写数据时间短，特别适合存放实时采集的重要数据。 可以在线实时改写，用它可以组成固态大容量存储装置（又称半导体盘或电子盘）。在工业控制计算机中常使用这类存储器。 （2） Flash Memory Flash Memory是一种快擦写存储器，通常又称为闪速存储器（闪存），也是一种具有不挥发性的存储器，可以在线擦除和重写． 集成度高、抗振动、高可靠性、低价格。 Flash Memory可直接与CPU连接，由于节省了磁盘到RAM的加载步骤，工作速度仅取决于闪速存储器的存取时间。 由于具有低功耗、高密度的特点，且无机电移动装置，可用它组成的固态大容量存储装置来代替小型硬磁盘存储器。 Flash Memory只能整片擦除。 存储器性能比较： 3．4主存储器组织 3.4.1 存储器与CPU的连接 存储器与CPU相连的有地址线、数据线和控制线。 1.位并联法(位扩展法） 所选芯片的存储单元数符合设计要求，但位数不够字长要求，此时： 所需芯片数=总字长/（单元位数/片） 地址线: log2(总字数） 数据线：总字长 例： 使用8K X 1位的芯片组成8K X 8位的存储器。则进行位扩展， 解： 所需芯片数=总字长/（单元位数/片） =8/1 =8片 地址线= log2(总字数）= log2 8K=13根 数据线=总字长 =8根 2．地址串联法(字扩展法） 字扩展法是在字的数量上扩充，而位数不变。 所需芯片数=总字数/（字数/片） 地址线: log2(总字数） 数据线：总字长 设计时，将芯片的地址线、数据线、读／写控制线并联，而由片选信号来区分各片地址，故片选信号端连接到片译码器的输出端。 例： 用 16K X 8位的芯片组成64K X 8位的存储器。 解： 所需芯片数=总字数/（字数/片） =64K/16K =4片 地址线= log2(总字数）= log2 64K=16根 数据线=总字长 =8根 * * 源极 漏极 高浓度的P型区 绝缘物 硅栅上无电荷时，D极与S极间不导电，存入信息1。若要写0，则需在D和S间加25V高压，外加编程脉冲（宽50ms），被选中的单元在高压作用下瞬时击穿，电子注入硅栅。高压撤除后，因硅栅有绝缘层包围，电子无法泄漏，硅栅变负，在紧靠硅珊处形成导电沟道，EPROM管导通，于是存入信息0。 写入时， 为低电平， 为高电平， 加负脉冲，此时，数据D0~D7经I／O缓冲器和数据锁存器写入选中的单元。读出时， 为低电平， 为低电平， 加高电平，此时，选中单元所存的数据通过数据锁存器、I／O缓冲器输出。若要擦除某一字节内容，则给出单元地址，在写入状态下在D0～D7端送全1即可。整片擦除需在 加低电平， 端上加10~15V电压， 加低电平，D0－D7为全1。Vpp编程电压由其本身的编程电压发生器产生。芯片不工作时， 为低电平， 和 都为高电乎，其输出为高阻状态。 D0 D7 A0 A12 *