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2.4.5 功率集成电路PIC 2) 单片三相逆变器 图2.41 单片三相逆变器 第64页/共66页 2.4.5 功率集成电路PIC 4. 智能功率模块IPM IPM是一种混合集成电路，是IGBT智能化功率模块的简称。它以IGBT为基本功率开关器件，将驱动、保护和控制电路的多个芯片通过焊丝(或铜带)连接，封入同一模块中，形成具有部分或完整功能的、相对独立的单元。如构成一相或三相逆变器的专用模块，用于电动机变频调速装置的需要。 图2.42 IPM系列产品的内部框图 第65页/共66页 2.4.5 功率集成电路PIC 图2.43 IPM模块内部结构 第66页/共66页 2.3.4 光控晶闸管 (a)图形符号 (b)伏安特性 图2.14 光控晶闸管的图形符号和伏安特性 第32页/共66页 2.4 常用全控型器件 2.4.1 功率晶体管GTR 2.4.2 门极可关断晶闸管GTO 2.4.3 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 2.4.4 绝缘栅双极型晶体管IGBT 2.4.5 功率集成电路PIC 第33页/共66页 2.4 常用全控型器件 当晶闸管问世后不久，具有全控能力的门极可关断晶闸管就已经出现。之后，随着电力电子应用技术的要求和半导体制造技术的发展，相继出现了一批又一批、一代又一代全控型、高频化、采用集成电路制造工艺的电力电子器件。尤其是全控型器件的出现和发展，给电力电子技术的发展开创出一个又一个新的空间。 目前，常见的全控型电力电子器件主要有：门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、智能功率模块等。 第34页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR GTR的结构和基本工作原理 1) 单管GTR (a)内部结构断面示意图 (b)图形符号 (c)内部载流子的流动 图2.15 GTR的结构、图形符号和内部载流子的流动 第35页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 2) 达林顿GTR 图2.16 达林顿结构GTR 第36页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 3) GTR模块 为方便现场应用，尤其是作为大功率开关应用，生产厂商常根据不同用途将几个达林顿单元电路组装在一起构成GTR模块。或将上述单元电路集成制作在同一硅片上，大大提高了器件的集成度，减少了GTR之间的连线，使其体积减小、重量减轻，提高了运行可靠性，性能/价格比大大提高。 第37页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 2. GTR的基本特性 1) 静态特性 图2.17 共发射极接法时GTR的输出特性 第38页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 2) 动态特性 (a)试验电路 (b)基极和集电极电流波形 图2.18 GTR动态特性实验电路与开通和关断过程电流波形 第39页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 3. GTR的主要参数 1) 最高工作电压额定值 图2.19 GTR的不同接线方式及其最高集电极电压额定值 第40页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 2) 最大集电极电流额定值ICM 通常规定直流电流放大系数hFE下降到规定值的1/2～1/3时，所对应的IC为集电极最大允许电流。实际使用时要留有较大裕量，只能用到ICM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PCM 集电极最大耗散功率指GTR在最高允许结温下对应的耗散功率。其值一般都会在手册上给出。 4) 最高结温TJM GTR的最高结温是指在正常工作时不损坏器件所允许的最高结温。 第41页/共66页 2.4.1 功率晶体管GTR 5) 饱和压降UCES 工作于深饱和区的集-射极电压称为饱和压降。 6) 共射极直流电流增益hFE GTR产品目录中通常只给出直流电流增益hFE，它为直流工作时的IC/IB。 图2.20 饱和压降特性曲线 第42页/共66页 2.4.2 门极可关断晶闸管GTO 1. GTO的结构和工作原理 1) GTO的结构 图2.21 GTO的结构、等效电路和图形符号 第43页/共66页 2.4.2 门极可关断晶闸管GTO 2) GTO的工作原理 GTO的工作原理与普通晶闸管相似，也可以用双晶体管等效模型进行分析。其导通过程与普通晶闸管基本相同，有同样的正反馈过程，只不过导通时饱和程度较浅。 GTO的关断过程与普通晶闸管不同。GTO的关断电路与关断过程波形如图?2.22所示。关断GTO时，给门极加负脉冲，产生门极电流-IG，此电流使得V1管的集电极电流ICl被分流，V2管的基极电流IB2减小，从而使IC2和IK减小，IC2的减小进一步引起IA和IC1减小，又进一步使V2的基极电流