三扩散2.pptxVIP

掺杂可形成 PN 结、双极晶体管的基区、发射区、隔离区和隐埋区、MOS 晶体管的源区、漏区和阱区 ，以及扩散电阻、互连引线、多晶硅电极等。 在硅中掺入少量 Ⅲ 族元素可获得 P 型半导体，掺入少量Ⅴ族元素可获得 N 型半导体。掺杂的浓度范围为 1014 ~ 1021 cm-3，而硅的原子密度是 5 ×1022 cm-3，所以掺杂浓度为 1017 cm-3 时，相当于在硅中仅掺入了百万分之几的杂质。 3.1 一维费克扩散方程 本质上，扩散是微观粒子作不规则热运动的统计结果。这种运动总是由粒子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进行，从而使得粒子的分布逐渐趋于均匀。浓度差越大，温度越高，扩散就越快。 在一维情况下，单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数，即扩散粒子的流密度 J ( x , t ) ，与粒子的浓度梯度成正比，即 费克第一定律，式中，负号表示扩散由高浓度处向着低浓度处进行。比例系数 D 称为粒子的 扩散系数，取决于粒子种类和扩散温度。典型的扩散温度为 900℃~1200℃。D 的大小直接表征着该种粒子扩散的快慢。 将费克第一定律代入 连续性方程假定杂质扩散系数 D 是与杂质浓度 N 无关的常数，则可得到杂质的 扩散方程上式又称为 费克第二定律。 针对不同边界条件和初始条件可求出方程的解，得出杂质浓度 N ( x , t ) 的分布，即 N 与 x 和 t 的关系。 3.2 扩散的原子模型杂质的位置： 杂质原子在半导体中进行扩散的方式有两种。以硅中的扩散为例，O、Au、Cu、Fe、Ni、Zn、Mg 等不易与硅原子键合的杂质原子，从半导体晶格的间隙中挤进去，即所谓 “填隙式” 扩散；而 P、As、Sb、B、Al、Ga、In 等容易与硅原子键合的杂质原子，则主要代替硅原子而占据格点的位置，再依靠周围空的格点（即 空位）进行扩散 ，即所谓 “替位式” 扩散。填隙式扩散的速度比替位式扩散快得多。 对于替位式杂质，不同带电状态的空位将产生不同的扩散系数，实际的扩散系数 D 是所有不同带电状态空位的扩散系数的加权总和，即其中 Ea0 、Ea- 等代表 扩散激活能，D00、D0- 等代表与温度无关的常数，取决于晶格振动频率和晶格几何结构。式中，ni 代表 扩散温度下 的本征载流子浓度；n 与 p 分别代表扩散温度下 的电子与空穴浓度，可由下式求得 3.3 费克定律的分析解 1、恒定表面浓度扩散 在整个扩散过程中，杂质不断进入硅中，而表面杂质浓度NS 始终保持不变。 边界条件 1N（0 , t ）= NS 边界条件 2N（∞, t ）= 0 初始条件N（x , 0 ）= 0 由上述边界条件与初始条件可求出扩散方程的解，即恒定表面浓度扩散的杂质分布情况，为 余误差函数分布，式中，erfc 代表余误差函数； 称为特征扩散长度。 恒定表面浓度扩散的主要特点 （1）杂质表面浓度 NS 由该种杂质在扩散温度下的固溶度所决定。当扩散温度不变时，表面杂质浓度维持不变；（2）扩散的时间越长，扩散温度越高，则扩散进入硅片内单位面积的杂质总量（称为 杂质剂量 QT）就越多；（3）扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深。 2、恒定杂质总量扩散 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内单位面积的杂质总量为 QT ，杂质的扩散长度远大于该层厚度，则杂质的初始分布可取为 ? 函数，扩散方程的初始条件和边界条件为 这时扩散方程的解为中心在 x = 0 处的 高斯分布 恒定杂质总量扩散的主要特点 （1）在整个扩散过程中，杂质总量 QT 保持不变；（2）扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深；（3）扩散时间越长，扩散温度越高，表面浓度 NS 越低，即表面杂质浓度可控。 3、两步扩散 恒定表面浓度扩散适宜于制作高表面杂质浓度的浅结，但是难以制作低表面浓度的结。而恒定杂质总量扩散则需要事先在硅片中引入一定量的杂质。 为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺： 第一步称为预扩散 或 预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面浓度扩散方式在硅片表面扩散一薄层杂质原子，目的在于确定进入硅片的杂质总量； 第二步称为 主扩散 或 再分布 或 推进扩散 ，在较高的温度下，采用恒定杂质总量扩散方式，让淀积在表面的杂质继续往硅片中扩散，目的在于控制扩散深度和表面浓度。 例如，双极晶体管中基区的硼扩散 ，一般采用两步扩散。因硼在硅中的固溶度随温度变化较小，一般在 1020 cm-3 以上，而通常要求基区的表面浓度在 1018cm-3，因此必须采用第二步再分布来得到较低的表面浓度。 第一步恒定表面浓度扩散，淀积到硅片上的杂质总量为 D1 代表预淀积温度下的杂质扩