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I=67mA P=1.2mW I=75mA P=2.5mW I=100mA P=10mW I=95mA P=6mW I=80mA P=4mW 随着电流增加，主模的增益增加，而边模的增益减小，纵模数减少，一个模式开始占优势，直到出现单个窄线宽的光谱为止。 2、纵模数随注入电流而变： 第31页/共59页 在众多的纵模中，只有那些频率落在增益介质的增益曲线范围内，且增益大于损耗的那些腔模才能在LD的输出中存在。 3、谱线特性： 第32页/共59页 在纵向，光波以驻波形式振荡。 谐振频率（正入射）: m--正整数；L--腔长； n--材料折射。 相邻纵模的频率间隔: 增益曲线： ?0--增益谱中心波长，由增益介质的能级差决定；?--增益谱宽，由增益介质内原子热运动（多普勒加宽）和原子碰撞（均匀加宽）造成；g(0)--正比于粒子数反转的最大增益 第33页/共59页 4、峰值波长随温度变化： 半导体激光器的发射波长随结区温度而变化。当结温升高时，半导体材料的禁区带宽变窄，因而使激光器发射光谱的峰值波长移向长波长。 InGaAsP/InP激光器的发射波长随注入电流漂移的情况，此激光器没加温度控制，由于电流的热效应，使结温度升高，从而使发射波长漂移。 第34页/共59页 5、动态谱线展宽： 动态谱线展宽对高速光纤通信非常不利，各种动态单模激光器已得到迅速发展?DFB LD及DBR LD。 对激光器进行直接强度调制会使发射谱线增宽，振荡模数增加。这是因为对激光器进行脉冲调制时，注入电流不断变化，使有源区里载流子浓度随之变化，进而导致折射率随之变化，激光器的谐振频率发生漂移，动态谱线展宽。调制速率越高，调制电流越大，谱线展宽的越多。 激光器的发射光谱随调制电流变化的情况 第35页/共59页 6、动态单模半导体激光器： 实现LD单纵模工作的方法： 采用短腔结构，增大相邻纵模间隔,使增益谱线范围内只有一个谱线存在，短腔制造困难，LD输出功率低。 采用波长选择反馈，使不同的纵模有不同的损耗，包括：分布反馈结构和耦合腔结构。 单纵模LD的性能通常由边模抑制比（MSR）来表征，定义为MSR=Pmm/Psm Pmm为主模功率； Psm为最大边模功率。 一个较好的单纵模LD， MSR应大于30dB。 第36页/共59页 7. 影响发射波长的因素： 对于DFB激光器，影响发射波长的因素：管芯温度；工作电流；光反射（利用隔离器减小） 比较而言，温度变化是波长漂移的主要因素。 管芯温度与发射波长的关系：温度升高红移 相比之下，折射率波导LD的热稳定性差得多，其 这种特性在泵浦激光器中是有用的，可以通过精确地控制温度，把LD的发射波长调节到特定波长上，以满足应用要求。 第37页/共59页 线宽是LD输出光谱的另一个重要参量。窄的线宽有利于减小光纤的色散。LD输出的有限线宽源于两个因素： 一是激光腔内自发辐射引起的光场相位脉动 二是载流子浓度脉动引起的折射率变化，使光腔谐振频率发生变化。 简化理论推导的光源线宽为： X--自发发射事件的平均速率； P--光功率；?--线宽增强因子 8、线宽 降低线宽可采取以下措施： 增大光功率 减小自发发射速率 从外部稳定载流子密度 FP-LD的线宽通常达几nm DFB-LD线宽通常约5~10MHz MQW-LD线宽仅几十~几百KHz 第38页/共59页 三、半导体激光器的瞬态性质 半导体激光器具有电光转换效率高、响应速度快、可以进行直接调制的优点，被视为光纤通信中的理想光源。但在对半导体激光器进行脉冲调制时，激光器往往呈现出复杂的动态性质——光电瞬态响应。 电光延迟 张弛振荡 自脉动 第39页/共59页 张弛振荡：当电流脉冲注入激光器以后，输出光脉冲表现出衰减式振荡。是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性。 自脉动：某些激光器在某些注入电流下发生的一种持续振荡。 张弛振荡和自脉动的结合。激光器激射以后，先出现一个张弛振荡的过程，随后则开始持续自脉动。 光电瞬态响应波形： 第40页/共59页 1. 电光延迟 原因：激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟，一般为纳秒量级。 降低方法：预偏置在Ith附近。 上升时间：从额定功率的10％升到90％所需的时间 下降时间：从额定功率的90％降到10％所需的时间 第41页/共59页 当注入电流从零快速增大到阈值以上时，经电光延迟后产生激光输出，并在脉冲顶部出现阻尼振荡，经过几个周期后达到平衡值。 采用预偏置在Ith附近的方法，可减小张弛振荡 2. 张弛振荡 第42页/共59页 不同于张弛振荡，没有阻尼，脉动频率范围为0.2~4GHz,容易发生在阈值附近和P-I特性的扭曲区。 造成自脉动的机理涉及量子噪声效应、有源区的缺陷及温度感应的变化等因素。 抑制这种现象主要靠控制材料的质量，尽量