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9.4 半导体式传感器应用 9.4.1 实用酒精测试仪 图9-23 酒精测试仪电路 第63页/共68页 当气体传感器探测不到酒精时，加在A的第5脚电平为低电平；当气体传感器探测到酒精时，其内阻变低，从而使A的第5脚电平变高。A为显示推动器，它共有10个输出端，每个输出端可以驱动一个发光二极管，显示推动器A根据第5脚电压高低来确定依次点亮发光二极管的级数，酒精含量越高则点亮二极管的级数越大。上面5个发光二极管为红色，表示超过安全水平。 下面5个发光二极管为绿色，代表安全水平，酒精含量不超过0.05%。 第64页/共68页 9.4.2 直读式湿度计 图9-24是直读式湿度计电路，其中RH为氯化锂湿度传感器。 由V1、V2、T1等组成测湿电桥的电源，其振荡频率为250～1000 Hz。电桥输出经变压器T2, C3耦合到V3，经V3放大后的信号， 由VD1～VD4桥式整流后，输入给微安表，指示出由于相对湿度的变化引起电流的改变，经标定并把湿度刻划在微安表盘上， 就成为一个简单而实用的直读式湿度计了。 第65页/共68页 图9-24 直读式湿度计电路图 第66页/共68页 9.4.3 彩色信号处理电路 图9-25所示为检测光波长（即颜色）处理电路。它由色敏半导体传感器、两路对数放大器电路及运算放大器OP3构成。 图9-25 色彩信号处理电路 第67页/共68页 要识别色彩，必须获得两只光电二极管的短路电流比。故采用对数放大器电路，在电流较小的时候，二极管两端加上的电压和流过电流之间存在近似对数关系，即OP1、OP2输出分别跟lnISD1、lnISD2成比例， OP3取出它们的差。输出为 其正比于短路电流比ISD2/ISD1的对数。其中C为比例常数。将电路输出电压经A/D变换、 处理后即可判断出与电平相对应的波长（即颜色）。 第68页/共68页 9.2.2 半导体陶瓷湿敏电阻 通常，用两种以上的金属氧化物半导体材料混合烧结而成为多孔陶瓷。这些材料有ZnO-LiO2-V2O5系、Si-Na2O-V2O5系、 TiO2-MgO-Cr2O3系、Fe3O4等，前三种材料的电阻率随湿度增加而下降，故称为负特性湿敏半导体陶瓷，最后一种的电阻率随湿度增加而增大，故称为正特性湿敏半导体陶瓷(以下简称半导瓷)。 第31页/共68页 1. 负特性湿敏半导瓷的导电机理 由于水分子中的氢原子具有很强的正电场，当水在半导瓷表面吸附时，就有可能从半导瓷表面俘获电子，使半导瓷表面带负电。如果该半导瓷是Ｐ型半导体，则由于水分子吸附使表面电势下降，将吸引更多的空穴到达其表面，于是，其表面层的电阻下降。若该半导瓷为Ｎ型，则由于水分子的附着使表面电势下降，如果表面电势下降较多，不仅使表面层的电子耗尽， 同时吸引更多的空穴达到表面层，有可能使到达表面层的空穴浓度大于电子浓度，出现所谓表面反型层，这些空穴称为反型载流子。 它们同样可以在表面迁移而表现出电导特性。因此， 由于水分子的吸附，使N型半导瓷材料的表面电阻下降。 由此可见，不论是Ｎ型还是Ｐ型半导瓷，其电阻率都随湿度的增加而下降。图9-9表示了几种负特性半导瓷阻值与湿度之关系。 第32页/共68页 图 9-9 几种半导瓷湿敏负特性 第33页/共68页 图 9-10 Fe3O4半导瓷的正湿敏特性 第34页/共68页 2. 正特性湿敏半导瓷的导电机理 正特性湿敏半导瓷的导电机理的解释可以认为这类材料的结构、电子能量状态与负特性材料有所不同。当水分子附着半导瓷的表面使电势变负时， 导致其表面层电子浓度下降，但这还不足以使表面层的空穴浓度增加到出现反型程度，此时仍以电子导电为主。于是，表面电阻将由于电子浓度下降而加大，这类半导瓷材料的表面电阻将随湿度的增加而加大。如果对某一种半导瓷，它的晶粒间的电阻并不比晶粒内电阻大很多，那么表面层电阻的加大对总电阻并不起多大作用。不过，通常湿敏半导瓷材料都是多孔的，表面电导占的比例很大，故表面层电阻的升高， 必将引起总电阻值的明显升高。 但是，由于晶体内部低阻支路仍然存在，正特性半导瓷的总电阻值的升高没有负特性材料的阻值下降得那么明显。图9-10给出了Fe3O4正特性半导瓷湿敏电阻阻值与湿度的关系曲线。从图9-9与图9-10可以看出，当相对湿度从0%RH变化到100%RH时，负特性材料的阻值均下降3个数量级，而正特性材料的阻值只增大了约一倍。 第35页/共68页 3. 典型半导瓷湿敏元件 （1）MgCr2O4-TiO2湿敏元件 氧化镁复合氧化物-二氧化钛湿敏材料通常制成多