存储系统 微机原理与接口技术.doc

第五章 存储系统.1 存储系统与半导体存储器的分类存储系统是计算机的重要组成部分计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。.1.1　存储系统CPU速度的不断提高和软件规模的不断扩大，人们希望存储器能同时满足速度快、容量大、价格低等要求，而采用单一工艺制造的半导体存储器往往难以同时满足这三方面的要求，为了解决这一矛盾，目前，高档微机系统中普遍采用分级存储器结构和虚拟存储器结构来组织整个存储系统。 分级存储器结构，就是设计一个快慢搭配、具有层次结构的存储系统，如图5.1所示。它呈现金字塔形结构，越往上存储器件的速度越快，CPU的访问频度越高，同时系统的拥有量也就越小。从图中可以看到，CPU内的寄存器位于该塔的顶端，它有最快的存取速度，容量也是最小的；向下依次是内部Cache、外部Cache、主存储器、外存储器；位于塔底的存储设备，容量最大，但速度可能也是较慢或最慢的。 图5－1　微机分级存储器结构示意图　　 1．CPU内部寄存器组 位于CPU芯片内部的寄存器存取速度比较快，主要是用来存放运算过程中所需要的操作数地址、操作数及中间结果，但受芯片面积和集成度的限制，寄存器的数量是有限的。 2．高速缓冲存储器（cache）主存储器直接与之沟通并用其存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序它的物理实质就是一组或具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。Windows中运用了虚拟内存技术，即拿出一部分硬盘空间来充当内存使用，当内存占用完时，电脑就会自动调用硬盘来充当内存，以缓解内存的紧张。虚拟存储的容量与物理主存大小无关，而受限于计算机的地址结构和可用磁盘容量.1.2半导体存储器的分类和特点 由于半导体存储器具有存取速度快、集成度高、体积小、功耗低、应用方便等优点，它已被广泛用于组成微型计算机内存。按其制造工艺分类可分为双极型（TTL型）和金属氧化物型（MOS型）两类。TTL型相对于MOS型来说其特点是存取速度快、集成度低、功耗大、成本高；MOS型存储器集成度高、功耗低，价格便宜，但存取速度要比TTL型的慢。微机的内存主要由MOS型半导体构成。按存取方式分，半导体存储器又可以分为随机存取存储器RAM（Ramdom Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）两大类。 1．只读存储器ROM 如果一个存储器只能读出，不能改写称之为只读存储器或简称ROM。断电后，ROM中存储的信息仍保留不变，所以，ROM是非易失性存储器。微型系统中常用ROM存放固定的程序和数据，如监控程序、操作系统中的BIOS（基本输入/输出系统）或用户需要固化的程序。 按照编程的方式不同，ROM可分为以下几种： （1）掩膜ROM（Masked ROM）ROM存储的信息由存储器生产厂家根据用户程序要求采用掩模工艺制成，一经制作完成，用户只能读出，不能改写。掩膜ROM通常用于存储大批量生产的比较成熟的固定程序和数据。 （2)PROM（Programable ROM） 该存储器在出厂时器件中没有任何信息，一般由二极管矩阵组成是空白存储器。这种ROM写入时，利用外部引脚输入地址，对其中的二极管键进行选择，使某一些二极管连接处被烧断，而另一些则保持原状。保持原状的代表“1”，而被烧断的代表“0”。PROM一旦写入就不能更改，故比较适合存储非批量的固定程序和数据。 （3）EPROM——可擦除可编程ROM（Erasable PROM） 在实际工作中，往往一个设计好的程序在经过一段时间使用后，又需要修改，如果这个程序在ROM或PROM中，就会感到不便了。而EPROM是一种可多次进行擦除和重写的ROM，可以满足这方面的要求。 EPROM的编程主要是通过改变电荷分布来实现的，编程的过程就是一个电荷的注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但由于绝缘层的包围，注入的电荷无法泄漏，故而达到存储信息的作用。EPROM芯片上有一个石英窗口，当紫外光照到石英窗口上，由于光电作用，内部的的电荷分布会被破坏，使电路慢慢地恢复为初始状态，从而把写入的信息擦去，这样又可对EPROM重新编程。但EPROM写过程很慢，所以它仍然作为只读存储器使用。 （4）EEPROM（E2PROM）——电可擦除可编程ROM（Electrically Erasable PROM） E2PROM是一种电可擦除的PROM。可以以字节为单位进行擦除和改写，而不像EPROM那样整体被擦除；也不需要用户把芯片从系统中取下来用编程器编程，因此使用比较方便。 随着技术的发展，E2PROM的擦写速度不断加快，容量不断提高，它可作为非易失性的RAM使用。 （5）闪存（Flash M