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高级微电子技术复习提纲答案(闭卷专用) IN LONGER WE TRUST! 高级微电子技术复习提纲 2015-9-29 IN LONGER WE TRUST! 1. 请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文：CPLD、FPGA、GAL、LUT、IP、SoC。 CPLD：Complex Programmable Logic Device 复杂可编程逻辑器件； FPGA：Field Programmable Gate Array 现场可编辑门阵列； GAL：Generic Array Logic 通用逻辑器件； LUT：Look-Up Table 查找表； IP：Intellectual Property 知识产权； SoC：System on Chip 片上系统。 2. 试述AGC BJT器件实现AGC特性（自动增益控制，Automatic Gain Control）的工作原理; 试说明为什么AGC BJT 的工作频率范围受限。 AGC双极型晶体管利用大注入效应。在大电流下基区产生大注入效应，使增益降低、输出不至于过高，达到自动增益控制的目的。 自动增益控制特性与频率特性是相矛盾: 1) 实现AGC需要基区展宽，而器件的工作频率与基区宽度的平方成反比，使得工作频率范围受限； 2) 实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 3. 试给出AGC BJT和AGC双栅MOSFET的自动增益控制范围(db数)和频率范围。 通常AGC双极型晶体管工作在10—300MHz频率范围内。双栅MOSFET:硅栅：200MHz以内，钼栅：900MHz以内。 4. 为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 双栅MOSFET具有相互独立的两个栅电极，大幅减小了密勒效应，使反馈电容比普通MOSFET低两个数量级以上，从而有良好的超高频特性。 5. 试给出在IC中实现AGC功能的方法。 如图所示为AGC在IC中的实现方法流程图： 6. 为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现源漏自对准的目的是什么？ 铝栅的熔点较低，在高温下对有源区进行扩散时铝会熔化，不能实现自对准工艺。而套刻工艺难度随器件缩小越难至无法实现。 减小其中MOSFET的寄生电容，提高工作频率和速度。 7. 试用“深掏滩，低垒堰”的思想说明“在IC中利用密勒效应来获得大电容”的发明的聪明之处。IC中利用密勒效 应来获得大电容的目的是什么？ 聪明之处：化不利为有利，化腐朽为神奇。 （1）采用较小的电容即获得较大的电容，避免大电容的制作，减小芯片面积； （2）通过控制电压或电流的放大倍数，获得可控电容。 8. 试举4个以上例子说明：在模拟IC或模拟电路中，电容通常所起的作用。 在BJT共射放大电路的设计中，常在串联发射集电阻Re的同时并联大的旁路电容，从而在不影响电压放大倍数的 1 IN LONGER WE TRUST! 情况下，提高输入电阻； 振荡电路的设计中通过电阻和电容组成移相电路，使电路满足振荡的相位平衡条件； 在运算放大器的设计中利用电容和电阻组成求和，积分等运算电路； 整流电路的设计中利用电容的充放电效应设计滤波整流电路，将交流电变换成直流电。 9. 为什么说“BJT的开启电压固定，MOS的开启电压难于精确控制”？ 答：因为MOS管的阈值电压UTH对工艺过程和器件尺寸非常敏感，而BJT器件的开启电压UBE比UTH更容易精确控制，所以BJT器件更容易得到性能良好的匹配对管，使开启电压固定。 10. 在相同工艺水平条件下，例如同为1um工艺，BJT与CMOS 相比较，BJT的工作频率更高, 其原因是什么？ 由此, 能否说明“少子器件不一定比多子器件慢”？ 在1um工艺下，基区宽度较宽，对CMOS而言，寄身电容和栅电容较大，BJT与CMOS 相比较，BJT的工作频率更高。速度受迁移率的影响，BJT的体迁移率远大于 MOSFET的表面迁移率，因此跨导更大，速度更快。 不能，随着集成度的提高，CMOS工艺的晶体管速度已经快于BJT。 11. 试说明ECL电路速度快，但功耗大的原因。 答：ECL是非饱和电路，逻辑摆幅很小，当电路从一个状态过渡到另一个状态时对寄生电容的充放电时间减少，因此电路速度快。但是单元门的开关管是轮