石墨烯的结构与性能（文档篇）.doc

石墨烯的结构与性能（文档3篇） 以下是网友分享的关于石墨烯的结构与性能的资料3篇，希望对您有所帮助，就爱阅读感谢您的支持。 石墨烯的结构性能第一篇 石墨烯的结构性能 摘要：石墨烯是2004年才发现的一种有奇异性能的新型材料，它是由碳原子组成的二维六角点阵结构，具有单一原子层或几个原子层厚。石墨烯因其具有独特的电子能带结构和具相对论电子学特性，是迄今为止人类发现的最理想的二维电子系统，且具有丰富而新奇的物理特性。本文详细介绍了石墨烯的结构，特殊性能以及对石墨烯原胞进行了5×5×1的扩展，通过密度泛函理论 ( DFT) 和广义梯度近似 ( GGA)对50个碳原子的本征石墨烯超晶胞进行电子结构计算。 关键字：石墨烯，结构，特殊性能，超晶胞，电子结构计算 一、 引言 石墨烯是2004年以来发现的新型电子材料 石墨烯是sp杂化碳原子形成的厚度仅为单层原子的排列成蜂窝状六角平面晶体。在单层石墨烯中，碳碳键长为0.142nm，厚度只有0.334nm。石墨烯是构成下列碳同素异型体的基本单元：例如：石墨，碳纳米管和富勒烯。石墨烯被认为是平面多环芳香烃原子晶体。石墨烯在电子和光电器件领域有着重要和广阔的应用前景 正因为如此，石墨烯的两位发现者获得了2010年的诺贝尔物理学奖。 2 石墨烯是一种没有能隙的半导体，具有比硅高100倍的载流子迁移率，在室温下具有微米级自由程和大的相干长度，因此石墨烯是纳米电路的理想材料，石墨烯具有良好的导热性[3000W／(mK)]、高强度(110GPa)和超大的比表面积 (2630mZ ／g)。这些优异的性能使得石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、能量存储及 复合材料等领域有光明的应用前景 二、 石墨烯的特殊性能 石墨烯是一种半金属或者零带隙二维材料，在靠近布里渊区6个角处的低 能区，其E-k色散关系是线性的 ,因而电子或空穴的有效质量为零，这里的电子或空穴是相对论粒子，可以用自旋为1／2粒子的狄拉克方程来描述。 石墨烯的电子迁移率实验测量值超过15000cm／(Vs)(载流子浓度n≈10 cm )，在10～100K范围内，迁移率几乎与温度无关，说明石墨烯中的主要散射机制是缺陷散射，因此，可以通过提高石墨烯的完整性来增加其迁移率，长波的声学声子散射使得石墨烯的室温迁移率大约为200000cm ／(Vs)，其相应的电 阻率为lO -6 cm，比室温电阻率最小的银的电阻率还小。硅的电子迁移率为l400cm2／(V.s)，电子在石墨烯中的传输速度是在硅中的100倍，因而未来的半导体材料是石墨烯而不是硅。这将使开发更高速的计算机芯片和生化传感器成为可能。但是当石墨烯生长在siO2衬底上时，由于衬底的光学声子对电子的散射 比石墨烯本身对电子的散射要强很多，导致电子的迁移率下降为40000cm ／(Vs)。同时，人们也研究了化学掺杂对石墨烯载流子迁移率的影响。Schedin等发现 ，即使杂质浓度超过10 cm ，载流子迁移率也没有发生变化。Chen等研究发现 ，低温和超高真空的环境下，对石墨烯掺杂金属钾可以使载流子的迁移率下降至原来的1／20左右，而当加热石墨烯，去除掺杂的钾后，载流子的迁移率又可以恢复到以前的水平。石墨烯独特的电子特性产生了一种令人预想不到的高不透光性，这种单原子层对白光的吸收率是一个非常令人惊奇的数字：a≈ 2.3%，a是精细结构常数 。 石墨烯的电子特性可以用传统的紧束缚模型来描述，在这个模型中，电子能量与波数可以用式(1)来表示： 其中： =2．8eV为最紧邻跃迁能量，a为晶格常数，色散关系中的正负号分别对 应于导带和价带，它们在6个K点处值相同。这6个K点中有2个是无关的，而其它4个由于对称性而完全等价。在K点附近，能量线性地依赖于波数，非常像相对论粒子。 石墨烯被认为是理想的自旋电子学材料，因为其自旋一轨道耦合很弱，而且碳原子的核磁矩几乎为零，因此，电子的自旋注入核探测可以在室温下进行。石墨烯中，电子自旋扩散长度在室温下甚至超过l m。石墨烯是现在世界上已知的最为坚固的材料。哥伦比亚大学JamesHone组的研究人员将石墨烯薄片衬于直径为l～1．5 m的SiO2空洞上 ，用显微镜确定石墨烯的位置后，开始利用硅探头来 按压石墨烯薄膜，但是，他们很快发现硅探头的强度不够，往往是石墨烯薄膜未破，硅探头就断了，后来就只能改用半径大概为10～30nm的钻石探头来按压，以得到薄膜被破坏时的应力值。然而令人震惊的是，石墨烯的强度是世界上最好的钢强度的100倍。最后，研究人员利用原子力显微镜针尖测量了石墨烯的力学性能，其弹性系数为10 N／m，而杨氏模量达0．5TPa。 三、 本征石墨烯超晶胞模型 几何结构的优化和电子结构的计算是采用基于密度的泛函理论 ( DFT)