一款防数据残留攻击的安全sram全定制设计-fully customized design of a secure sram against data residue attacks.docxVIP

下载本文档

2
0
约4.93万字
约 78页
2018-06-03 发布于上海
举报
版权申诉

一款防数据残留攻击的安全sram全定制设计-fully customized design of a secure sram against data residue attacks.docx

1、本文档共78页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一款防数据残留攻击的安全sram全定制设计-fully customized design of a secure sram against data residue attacks

摘要随着集成电路的不断发展以及人们对信息安全越来越重视，安全系统的设计逐渐从软件到硬件发展。静态随机存储器（SRAM）作为一种易失性存储器，在涉及到信息安全的场合中受到了广泛地应用。很多安全系统都以SRAM作为密钥的存储器。但在断开电源后，SRAM的数据会保留一段时间，造成信息被窃取。有实验表明，在-30℃时断开电源的情况下，数据可以保留0.5~2分钟，而且尺寸越小的实验芯片数据残留时间越长。因此针对深亚微米下SRAM数据残留的研究和防数据残留攻击的芯片设计就具有重要的应用价值。本文首先对SRAM数据残留机理进行了概述，分析了一些低温下针对数据残留攻击的方法以及相关防御策略。通过分析，提出了一种采用数据擦除策略来防数据残留攻击的方案，即在芯片检测到攻击时，通过特殊电路擦除存储单元数据。结合该方案，针对数据残留攻击的特性，设计并实现了一个带有数据擦除晶体管的读写分开的存储单元结构。并根据该结构存储单元的工作特性，提出了逐行擦除数据的控制方法，设计并实现了一个数据延时擦除控制电路。另外，为增强芯片应用性能，提高稳定性和降低功耗，设计中还对关键电路进行了优化，包括采用多级译码技术、改进灵敏放大器、改进预充控制电路等。最后，从版图设计的角度，对版图布局布线、基本模块设计和版图验证与模拟进行了分析与设计。本文在65nm工艺下，采用全定制设计方法实现了一款防数据残留攻击的16Kb（512×32bit）SRAM芯片，通过模拟和验证，达到了设计目标。该SRAM版图面积为0.079mm2，用于数据擦除设计的面积占21.27%。在常温下，1GHZ的工作频率时，其数据写入时间为599ps，数据读出时间为698ps，平均功耗为4.74mW。关键词：静态随机存储器，数据残留，全定制设计，65纳米AbstractWiththedevelopmentofVLSIandtheinformationsecurityispaidattentiontomoreandmore,thedesignsofthesecuritysystemdevelopfromthesoftwaretothehardwaregradually.Asakindofvolatilememorystorage,SRAMiswidelyappliedtoinvolvingintheoccasionofinformationsecurity.Itisregardedasthememorizerofthekeyinalotofsecuritysystems.Ithasadataremanencewhenitispower-off,whichmaycauseinformationtobestolen.Theexperimentresultsshowthat,thedatacanbekeptfor0.5~2minutesat-30℃afterpoweroff,moreover,aschipsizeissmallerthedataremanenceislonger.Itisimportanttoresearchondataremanenceindeepsub-micronSRAManddesignsecuritySRAMagainstdataremanenceattack.Atfirst,thephysicalmechanismofdataremanenceinSRAMisdiscussed.Thenthetechnologyofdataremanenceattackedatlowtemperatureandthedefensetacticsisdiscussed.Throughanalysis,asolutionwithdataerasurestrategyagainstdataremanenceattackisproposed,thatiserasingthedatathroughaspecialcircuitwhenattackisdetectedonthechip.Combiningthisscheme,tothecharacteristicsofdataremanence,aSRAMcellstructurewithdataerasuretransistorisdesignedandimplemented,whichreadlineandwritelineareseparated.Progressiveerasecontrolmethodisproposedaccordingtoitsworkcharacteristics.Designedandimplementedadelayerasecontrolcircuit.Inordertoimprovetheperformanceoftheprop