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气态源分子束外延AlxGa1-xAs（x=0～1）材料中Si的掺杂行为研究
气态源分子束外延AlxGa1-xAs（x=0～1）材料中Si的掺杂行为研究
第26卷第1期
2007年2月
红外与毫米波
J.InfraredMillim.Waves
Vo1.26,No.1
February,2007
文章编号:1001—9014(2007)01—0001一o4
BEHAVIoRoFSiINCoRPoRATIoNIN
AlxGal一
As(=0TO1)GROWNBYGAS
SoURCEMoLECULARBEAMEPITAXY
LIHua,LIAi.Zhen,ZHANGYong.Gang,QIMing
(1.StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics,ShanghaiInstituteofMicrosystemand
InformationTechnology,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200050,China;
2.EastChinaNormalUniversity,Shanghai200062.China)
Abstract:ThedopingbehaviorofSiinA1GaAswithAlAsmolefractionfrom0to1wasreported.Si-dopedA1GaI-Aslay-
ersweregrownbygassourcemolecu
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