缓变基区晶体管电流放大系数下.PPTVIP

3.3.4 注入效率与电流放大系数 已知从发射区注入基区的电子电流为： 类似地可得从基区注入发射区的空穴电流为： 上式中： 1）注入效率 于是可得缓变基区晶体管的注入效率为： 2）电流放大系数： 3） 小电流时 的下降 实测表明， 与发射极电流 IE 有如下图所示的关系。 上式中： 原因：发射结正向电流很小时，发射结势垒区复合电流 JrE 的比例增大，使注入效率下降。当 JrE 不能被忽略时有： 当电流很小，即 VBE 很小时， 很大，使 很小，从而 很小。 随着电流的增大， 减小，当 但仍不能被忽略时，有： 当电流很大时， 又会开始下降，这是由于大注入效应和基区扩展效应引起的。 当电流继续增大到 可以被忽略时，则有： 4）重掺杂的影响 重掺杂效应：当 NE 太高时，不但不能提高注入效率 ，反而会使其下降，从而使 和 下降。 原因：发射区禁带宽度变窄 与 俄歇复合增强。 对于室温下的 Si ： (1) 禁带变窄 发射区禁带变窄后，会使其本征载流子浓度 ni 发生变化： 发射区禁带变窄 发射区本征载流子浓度增加 基区向发射区注入的电流增加 注入效率减小 而先增大。但当 NE 超过 后， 反而下降， 当NE 增大时， 减小， 增加， 随NE 增大 从而导致 与 的下降。 (2) 俄歇复合增强 5）异质结晶体管（HBT） 上式中， ，当 时， ， 则 ： 选择不同的材料来制作发射区与基区，使两区具有不同的禁带宽度，则有：