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半导体、金属纳米材料的制备及其机能研究

半导体、金属纳米材料的制各及其性能研究 摘要 摘 要 从三个不同的方面对所制备的CdSe量子点的荧光性能进行研究:1.通过交替滴加的 考察了不同量Si02包裹对CdSe量子点荧光性能的影响,通过紫外光照射的方式动态 量子点表面的钝化作用,致使其荧光稳定性有所增强;3.在所制备的CdSe量子点水 并在紫外灯照射条件下动态考察了溶液中PAMAM/CdSe纳米颗粒的荧光变化情况, 实验表明,PAMAM分子有效地保护了CdSe量子点,并增强其荧光性能。’ 液体石蜡中制备PbSe量子点的新途径,并将所制备的PbSe量子点由有机相转移到 对反应生成物的形貌及组成进行表征,证实了形状规则且尺寸均匀的高质量PbSe量 子点的生成。讨论了此制各途径的反应机理。 扫描电子显微镜(SEM)进行表征,在水溶液中降解亚甲基蓝测试其光催化性能。实验 化活性。’ 过紫外一可见漫反射光谱、X射线衍射(XI①)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量散 射分析(EDX)对其进行表征,以甲基橙为探针分子考察其光催化性能。结果表明,适 量Fe304的掺入可明显提高SrTi03光催化剂对可见光的吸收,从而增强其光催化性能; 半导体、金属纳米材科的制备及je性能研究 摘要 在光降解甲基橙的反应中,掺杂10 Sr面03光催化剂的两倍。 谱(FT-IR)对所制样品的物理化学性质进行表征,通过标准四电极法具体考察了Pt掺 均匀;Pt掺杂可有效提高PED聊SS薄膜的导电性能。 导电性 作 者:杜明春 指导老师:杜玉扣 ¨ 半导体、金屈纳米卡才料的制备及其性能研究 摘要 Abstract dots、j~,ere in thenwere (1)Hi曲-qualit),CdSequantum preparedo玛anicphaSe,and 仃ansferredintowater The obtained、Verecharacterized phaSe. s锄ples byX-ray Dif仔action (XRD)’ DispersiVe Energy X—rayAnalysis(EDX), T啪smissionEle咖n Spectroscopy(UV-vis),FluorescenceSpec仰scopy(FL)aIld testifiedthatCdSe dots、Verefalmc砷ed.11le Microscopy(TEM),wIlichq1培ntllm fluorescence waS oftlle studiedf-rom propertys锄ples three、vays:1.byaltematc一缸lding, CdS 0nthesurf.aceofCdSe had grewup quaIltl肛lldots,which stronger Showed

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