孔径均匀有序的中孔碳氧化硅复合资料与中孔碳资料的合成与表征.pdf

摘要 摘 烫 中孔碳材料由于具有一蝗独特的特悭，如三维有序的孔道结构，化学惰 缝翥裹瓣孛我孑L吝，在臻零大分子豹啜瓣分离，色谱分离，毫稔学欲爆电容 器和锂离子电池方面有广泛的应用前景。 本论文的工作主要集中在两个方面：一是在水热合成过程中，日l入各种 秃税薤、乙懿葶羹蔗糖，考察箕对孛藐檬辩彭襞窝绥稳麴影璃；妥一蹩采爰浓 硫酸预处理中孔孔道中的裘酾活性剂的方法，制备出～装孔径能够调变的碳 ／氧化硅复台材料；然后除虫氧化硅壁得到中孑L碳材料或用外来碳源填实复 会毒|瓣豹魏逶，孬褥妥中嚣碳耪瓣。 中孔孔道中的表面活性剂的直接氨气保护下碳化和浓硫酸预先处理再碳 化，均能得到碳／氧化硅复合材料。在咸一种方法中邋避改变预处理过程中 浓硫酸的弱豢，一方覆霹羰获褥翼舂魏强均匀有声豹簇／氧诧疆复合奉|辩， 揭一方面产晶的孔径要大于空气中焙烧的样品，其孔径能在6．4～11．Onm间 调变，同时产黯具有完美的结构有序性。 蘩馥去镞／氧往硅复合材料静氧纯疆穗，麓够褥戮多芤谈材料。蒸具有 两种孔径分布，分别是O．9nm的微孔和4．3nm中孔。由于我们的方法在一定 范围内调变了碳／氧化硅复合材料的氧化砖壁的厚度。使用蔗糖填实这种材 瓣熬中嚣魏道，碳{乏螽去狳甄位硅壁，煞够褥到其有不弼藐弪分布簸中魏碳 材料，孔径能在3．5—4．5nm间调变。 篾建词：表箍，复合碳／氧纯硅材料，中孔碳材料，孔径均匀有序，调变孔 径 2 孔径均匀有序的中孔碳／氧化硅复合材料与中孔碳材料的台成与表征 传统的微孔分子筛由于孔径的限制对多数大潮普堑冀霄名隧|片：嚣删羹 疆掣@∽型胃镪裢和袭萄酾联靶绷篓蕊。。。罨遽。爨卫批础霪煎羹嚣@溺W旆 毒荔篓鼍矗雌鹾携兹驶誓童季暖二蓑嘤嚯瑷凑嗡漆国!藤黼海洛潆瞄薹曛浏 慢墓麓警矗滥漫罄更：笺爨凛雠涵蜀髭憾萋拍粕研驰辐嚣她鞋孵鸳曩躺坦成 季塾旧期烈蕊甜；￡一 钛锰固溶体[16】。纳 米零孝辩髂襁黪彩M珏覆予跑在O．097～0，122滚蘑肉，这夺餮院起始毅辩戆搿Mn 数K+在洗涤时进入了滤波，材料的Ti／Mn缎子 原子比(O．711)低得多，表明大多 沈刚与起始投料的Ti瓜m原子比非常接近。材料的化学式由AAs分析计算获 得，势与由此计冀褥到镁晦乎均襞诧念一起列予袭6。2中。显两易见，所窍缝 米材料中锰的平均氧化态大约是3，9 ，比文献报道的要高一些【4，6】，这可能 是在合成辩鸯羹入了强氧纯奔lK2s208掰致。锍靛弓|入侵影Mn覆子魄疆有溪麴， 相应锰的平均氧化态略有下降。 从表6．2可知，合成方法和钛的含量对材料中锰平均氧化态的影响不大， 也就是说钛蛉添艇没有使}潍趣蛉EE值交小，这可熊表疆钛取代约是分子筛骨 架上的 缭稳中 6 孔径均匀有序的中孔碳／氧化硅复合材料与中孔碳材料的合成与表征 还强调了硅酸盐物种和表面活性剂阳离子头的匹配。他发现在高PH值的体系 中，十六烷基三甲基胺会优先结合双四元环的硅物种(doubIefoue．rin墨 【sis020]8_)。这种作用非常强，以致十六烷基三甲基胺可以在本来不含双四元 环的体系里诱发双四元环的生成。他把这种特殊的作用归因于双四元环与季 nm2vs．O．0094 铵盐的阳离子头的投影面积(O．0098 nm2)以及电荷分布都非 常匹配[13]。 ofLcT 1．1．2．5协同自组装液晶相模板机理(cooperativeTempIating Mechanism) 目前被广泛接受的中孔材料的形成机理“协同自组装液晶相模板机理” 认为是无机和有机分子级的物种之间通过协同自组装最终形成有序的排列结 构[14]。就合成中孔氧化硅的体系而言，多聚的硅酸根阴离子与阳离子表面 活性剂发生作用，在界面区域的硅酸根聚合以及表面活性剂长链之间的疏水 ／疏水相互作用使得表面活性剂的长链相互接近，无机物种和有