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第一章 练习题
1 三角波电流源,峰值为10A,频率为1KHz,向容量为1uF的电容充电(电容电压初始值为零),如题1图所示,列出电容上电压和电流表达式,并画出电压和电流波形。
题2图
2 方波电压源,峰值为300V,频率为1KHz,负载为300uH的电感(电感电流初始值为零),如题2图所示,写出电感电流表达式,并画出电压和电流波形。
3 有几类变换器?
4 变换器的主要组成有哪几部分?
5 说明为什么大电容的模型可用电压源取代,大电感负载的模型可用电流源取代?
6 电感和半导体开关串联,当半导体开关断开时,会发生什么?
7 电容能否和半导体开关并接在一起,为什么?
8 有效值定义。
9 功率因数定义。
10 电池电压为12V,其输出电流波形如题图所示,计算在29us内:
1)其输出平均电流;
2)输出平均功率。
题10
11某电路输出电压电流波形如题图所示,计算其输出平均功率。
题11
12 说明缓冲电路(吸收电路)的主要目的是什么,抑制需要那些器件?
13 为什么说移相功率因数不能充分说明电流和电压的相互关系?
14 双向开关、单向开关是指什么?电力电子器件是哪一类?
15 电力电子技术的主要研究领域有哪些?
16 利用24V电池,设计一个10A恒定电流源,向工作频率为20KHz的变换器供电,要求电流波动小于1%,计算需要多大的电感才能满足要求。
17 所谓电力电子技术是什么样的技术领域?
18 请写出交流电3要素。
19 机械开关能否满足电力电子技术应用?
第二章 练习题
1 从电容器串联等效电路出发,说明电压、电流矢量图,标出损耗角,说明为什么损耗正切越小越好。
2 磁感应强度和磁场强度两者的关系,那个表示此处的强弱?
3磁性元件的功率损耗由那些组成?主要与那些变量有关?
4说明霍尔效应和邻近效应。
5窗口占空系数的定义。
6与变压器绕组相交链的磁通由哪三部分组成?
7 变压器的计算功率与变压器功率区别。
8 内环直径为25.4mm、外环直径为38.1mm、高度为19.5mm的铁氧体环形铁芯,相对磁导率3000,绕42匝,计算电感量。
9如图2-25所示的EE铁芯,N匝线圈紧绕在中心磁路上,磁路长度,,,,相对磁导率1000,计算100匝的电感值。
10 设计一个脉冲变压器,应用于半桥电路,工作频率100kHz,功率管导通时间为4.5,变压器输入电压幅度为310V,输出电压幅度为28V,输出采用全波整流,整流后输出电流为10A。
11 计算流过电流频率为100KHz的导线穿透深度是多少?若导线流过电流有效值为50A,电流密度取,如何选择导线。
12设计一个滤波电感,如果工作频率为20KHz、纹波电流为100mA,直流电流为10A,采用题8的铁芯,确定匝数和铜线直径。
13 如何测量变压器原、副边漏感?为什么?
14 设计一个两线圈变压器,原边电压有效值为110V,频率为100KHz原副边匝比为10:1,副边电流为12A。
第三章 练习题
1 按多子和少子器件对本章所述器件进行分类。
2 解释基区电导调制效应。
3 快恢复二极管的动态参数有哪些?用图示说明恢复时间。
4 按恢复时间划分二极管有那几类?在高频功率电路中常用那些二极管?
5 晶闸管导通的条件是什么?
6 维持晶闸管导通的条件是什么?如何使晶闸管由导通变为关断?
7晶闸管维持电流和挚住电流有何差别?
8 如何用万用表判断晶闸管的管脚?
9 静电感应效应是什么?
10 达林顿结构是如何防止GTR进入过饱和状态的?
11 理解VDMOS或(IGBT)的栅极电流波形,曲线斜率的三次变化代表是么?
12 IGBT的过电流保护与栅极电压关系。
13 是么是静电感应?简述静电感应器件工作原理。
14比较GTR、VDMOS、IGBT的主要特征
15 说明晶闸管的关断条件是什么。
16 叙述IGBT的特点。
17 GTR、IGBT关断为什么需要负电压?
18单相交流电压220V/50Hz,经过全桥整流后连接10负载,画出电压、电流波形,计算:1)峰值电流;2)平均电流;3)流过二极管的电流有效值。假定二极管为理想二极管。
第四章 练习题
1 单相半波可控整流电路的负载为感性负载:,,电源电压为100V,频率为50,分别求当时的负载电流,并画出输出电压和电流的波形。
2 请说明单相半波可控整流电路(负载为感性负载)当时,触发角同阻抗角的关系。
3 说明单相全桥整流电路和带中心抽头的双半波(全波)整流电路的差异及适用条件。
4 可控整流电路的输出能否接滤波电容?为什么?
5 为什么相控整流电路的输入电流的基波分量滞后与输入电压?
6 以三相半波全控整流电路(阻性负载)为例,画出考虑变压器漏感时整流电路输出电压,并分析原因。
7 三相桥式全
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