付小宁版“光电检测技术及系统”第六章-第5节.pptVIP

* * §6.5 、其他成像探测器 §6.5.1 视像管 §6.5.3 光电发射式摄像管 §6.5.4 微光像增强器 §6.5.5 微光摄像CCD器件 §6.5.2 硅靶摄像管 * * 6.5.1 光电导摄象管（视象管） * * 摄象管的基本结构 光电靶 电子枪 靶面的光敏层可进行光电转换，它的轴向电阻小，横向电阻大，有利于保持光电转换形成的电量潜象，并在扫描周期内实现积分存储。 光电靶 光窗 信号极 靶 灯丝、热阴极、控制栅极、各加速电极和聚焦电极、靶网电极和管外的聚焦线圈、偏转线圈、校正线圈等，它的作用是产生热电子，并使它聚焦成很细的电子射线，按着一定的轨迹扫描靶面。 电子枪 * * 6.5.2 硅靶摄象管 硅靶结构图与硅靶摄象管简图 * * 每个P型岛与N型衬底之间即形成一个PN结(光电二极管)。最后再在SiO2和P型岛表面上蒸涂上一层电阻率适当的材料，即成为硅靶。 信号板:硅靶摄象管窗口玻璃内表面涂有一层很薄的既可透光也可导电的金属膜，在它上面接有引线可同负载相连。 N型硅片 硅片朝着电子枪一边的表面，先生成一层氧化层(SiO2)，接着利用光刻技术在SiO2上光刻成几十万个小孔，再通过掺杂使每个小孔都变成P-Si。 许多个小的P-Si被SiO2隔离，称为P型岛 硅靶 * * 硅靶的光电变换 信号板 引线 负载电阻 靶电源的正极 电子枪的热阴极接地，扫描电子束具有地的电位 当电子束扫描到每个P型岛时，P型岛的PN结即被反偏置，结电容被充电到靶电源电压 由于PN结有反向漏电流(暗电流)，在负载电阻上要产生少量的电压降，靶的两边——成象面(信号板一边的靶面)和扫描面(朝着电子枪一边的靶面)之间的电压，略低于靶电源电压。 无光照 * * 如果光照是均匀的，靶的扫描面电位只是均匀地升高。如果光照不均匀，是一幅光学图象，则扫描面上各P型岛的电势分布，将正比于入射光学图象的亮度分布，亮度高的点，所对应的P型岛的电势也高。 光进入到每个PN结区将产生电子－空穴对，它们被结的内电场分离以后，光生的电子通过信号板等外电路入地，光生的空穴则被积累于P型岛上。 有光照 * * 硅靶摄象管产生视频信号的过程 扫描电子束按一定的制式去扫描靶面。例如先从左上角开始，从左向右扫，然后再一行挨着一行地从上向下扫，当扫到最右下角时，再返回到左上角，接着扫下一帧。 相当于用一条软导线，按着一定的次序去接通每个P型岛。当电子束与每个P型岛接触时，靶上电子数的多少，正比于各P型岛电势的高低。 * * 输出回路（靶-负载电阻-电源-热阴极-靶）中即产生与之对应的电子流，在负载电阻上即得到与之对应的视频电压信号。 与此同时，被扫到的P型岛，即被拉回到地的电位，为下一帧光积分作准备。当下一帧再扫到它时，它就可以把一个帧周期时间内积累起的信息电荷，瞬时地放出来，就这样反复下去，即可得到与光学图象亮度分布相对应的时序视频信号。 * * 碲化锌镉靶摄象管 由图可见，窗口玻璃内壁涂有一层SnO2薄膜为信号板，接着就是靶。靶有三层结构，第一层为ZnSe，属于N型半导体，厚50～100nm。第二层为碲化锌和碲化镉的困溶体（ZnxCd1-xTe），属于P型半导体，厚3～5μm。 * * 光电效应主要发生在第二层，x值的大小对灵敏度、暗电流和光谱特性都有较大的影响，x值小，灵敏度高，体内暗电流增大，光谱特性的峰值波长向长波方面移动。 第三层是无定形三氧化二锑Sb2O3，厚100nm。第一层与第二层之间形成异质结。第二层与第三层之间不形成结。 第一层ZnSe无光电效应，它的作用是增强对短波光的吸收，提高整个可见光区的灵敏度，另外它还可以阻止光生空穴向成象面一边扩散，有提高灵敏度，减小暗电流的作用。 第三层的作用是减小扫描电子束的电子注入效应（图象上的浮雕现象），减小暗电流和惰 性。 * * 6.5.3 光电发射式摄象管 二次电子导电摄象管（SEC） SEC管是60年代初出现的一种高灵敏度摄象管，适于微光摄象。 SEC管的基本结构分三部分：光电阴极，靶和电子枪。光电阴极和靶合在一起统称为移象区。 * * SEC管的工作原理是：光学图象投射到光电阴极上，产生相应的光电子发射，在加速电场和聚焦线圈所产生的磁场共同作用下，使它打到SEC靶上，产生二次电子发射。 于是在靶的扫描面即形成与之对应的电势起伏，从而使光电阴极上的光学图象转移到SEC靶，变为靶扫描面上的电势分布图象。靶的二次电子发射系数越大，移象后靶上的电势起伏也就越大。以后，视频信号的输出过程，就与光电导式摄象管完全相同了。 * * 硅增强靶摄象管（SIT） SIT管的结构和SEC管类似，只是靶不同。