光伏电池---硅片刻蚀.ppt

4.3 碎片 放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确位置，多晶156的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正确，很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。 调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行，调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行。 滚轴高低不平会影响片子的运行方向，导致叠片卡片，致使碎片。 作为工艺人员在生产过程中，如果发现机器碎片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。 4.4 吹不干 调整吹干气体流量，无效果，通知设备。 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非扩散面PN结刻蚀时被去除，背腐蚀太阳电池的背面更平整，其背面反射率优于刻边，背腐蚀太阳电池能更有效地利用长波增加ISC。铝背场比刻边的更均匀，可以提高IQE，从而提高了太阳电池的Uoc。 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染） 3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水较少。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大） 。 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点 1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 3、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。 五、刻蚀工艺岗位职责 工艺员： 完成工艺负责的点检项目的点检工作。 仔细查看前几个班的交接班记录，了解前几个班出现的工艺问题及处理方法，再次出现时可减少处理时间。 关注当班刻蚀工序的腐蚀量、刻蚀线宽度情况，对出现的异常及时加以解决，对于经过判断为设备原因异常，及时联系相关人员解决，解决不了的问题要及时通知助理工程师。 对于出现的不良品，根据《工艺文件》（正在写）要求，决定返工或是流至下一道工序。 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。 协助助理工程师、工程师跟踪相关实验，统计数据，下班时，按时准确填写交接班记录。 10、完成安排的其他工作。 * 1.保持良好的培训教学秩序,是优秀员工的一种表现,因为我们的同事还要更好的了解赛维LDK的企业文化; 2.自人类发明手机以来,手机有一种最大的功能我们没有用到,大家想不想知道这个功能是什么?振动;如果你觉得这个步骤比较麻烦,那你也在按住你手机右边这个红色的按键,只要你一直按下去,你将会一个非常奇怪的现象出现,那就是关机; 3.认真做好笔记,因为我们在培训之后还会有考试; 主要内容 刻蚀及去PSG目的 刻蚀及去PSG原理 RENA工艺流程 工艺常见问题以及解决方法 刻蚀工艺岗位职责 注意事项 一、刻蚀及去PSG目的 ??1.1 刻蚀目的 由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路，此短路通道等效于降低并联电阻。?? 经过刻蚀工序，硅片边缘带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。 1.2 去PSG目的 由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层SiO2，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差,在PECVD工序将使镀的SIxNy容易发生脱落，降低电池的转换效率 * 二、湿法刻蚀及去PSG原理 2.1 湿法刻蚀原理：利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2↑ + 8H2O LOREM IPSUM DOLOR 2.2 去PSG原理： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6]