碳钢基底上纳米Fe2O3的制备及光电化学功能.pdf

碳钢基底上纳米Fe203的制备及光电化学性能 摘要 eV左右， 在众多的氧化物半导体材料中，11型半导体Fe203的禁带宽度为2．1 可吸收利用太阳能光谱中大部分的可见光。除此之外，对环境无污染、无毒性、 在中性或碱性溶液中性能稳定，而且价格低廉、原料丰富，是非常理想的半导体 催化剂，在光催化、光电化学电池、太阳能电池等方面拥有潜在的应用价值。 本文在碳钢片基底上，分别制备出微米棒和纳米线状Zn掺杂的Fe203／Fe304 薄膜。运用电化学工作站测试薄膜在可见光(400nm)照射下的光电流和在可见光 (400nm)照射下降解模拟污染物罗丹明B限hB)，研究氧化膜的光催化和光电化 学性能。通过扫描电子显微镜(SEM)，X射线粉末衍射(XRD)，透射电子显微 研究了不同制各条件对薄膜形貌、结构、组成、光催化性能以及光电化学性能的 影响规律。具体研究内容和结果如下： 1．利用简单的直接氧化法，碳钢片经过0．75mol／L草酸水溶液(Zn2+浓度为 薄膜，考察了浸渍时间和热氧化时间对薄膜形貌、结构、组成及可见光下降解． min，再于空气气氛中350℃加热处理2h，制得的Zn掺杂的Fe203／Fe304薄膜 由微米棒状结构团聚而成，可见光下照射3h，RhB的降解率为74．9％，在可见 光下显示出良好的光催化活性。 2．将无机水溶液转换为有机乙醇溶液，碳钢片在1．5mol／L的草酸乙醇溶液 杂的Fe203／Fe304薄膜。研究了zn掺杂后对薄膜形貌、结构、组成及光电化学性 能的影响。结果表明，纳米线状形貌由六方相的Fe203组成；掺杂后Zn的含量 为2．2at％，其主要是掺杂在六方相的Fe203中。Zn掺杂的纳米线复合薄膜具有 T 万方数据 摘要 良好的光电化学性能和稳定性。 l 3．恒定草酸乙醇溶液中的Zn2+浓度为5．OxO‘4mol／L，改变草酸浓度，制各 得到Zn掺杂的薄膜样品。考察草酸浓度对薄膜形貌、结构、组成及光电化学性 能的影响。实验结果表明，草酸浓度的增加，有利于纳米线形貌的生长，也有利 于Fe203的生成；薄膜中Zn的含量随着草酸浓度的增加先升高后降低；草酸浓 度为0．1M时制备的薄膜具有最好的光电化学性能，在零偏压下，光电流密度为 1．5州cm2。 关键词：碳钢；纳米结构；Fe203；Zn掺杂；光电化学 II 万方数据 ofNanostructuredonCarbonSteelsandTheir Preparation Fe203 PhotoelectrochemicalPerformance ABSTRACT withthe 2．1 eVthat thesemiconductorband about Hematite(Fe203)is gap allowsfor a visible ofthesolar utilizingsignificantportion isenvironmental of friendliness，nontoxic，abund觚电alsocapablewithstanding as