异质结电学特性.pptVIP

注意：对于同型异质结，所谓的正向偏压也是指削弱内建电场VD的方向。同型异质结的内建电场和反型异质结相比要小得多，这意味着同型异质结的整流特性所能施加的电压范围也很小，超过这个范围异质结就会被击穿。 2.1.5 界面复合模型 由于异质结是两种不同的材料形成的，难以做到晶格常数和热膨胀系数的完全匹配，在制备和热处理过程中，在界面必然存在大量的挂键和缺陷。悬挂键和缺陷能级可能处于禁带中而形成界面态，它对载流子的输运有很大影响。由热发射越过各自势垒的电子和空穴，在界面处快速复合，称为界面复合机构。 qV Eg2 Eg1 1 2 界面复合模型示意图 界面复合模型的电流和电压特性取决于势垒高度大的肖特基二极管，若 ，则有： 其中， ， 为有效里查逊常数。界面 复合模型的正向电流和扩 散（发射）模型相同，它 和扩散模型、发射模型一 样都与温度有关，但比扩 散模型、发射模型更为强 烈。 Ln J V 300 K 77 K 界面复合模型lnJ和V曲线的温度特性 （2.22） 2.1.5 隧道复合模型 异质结界面上处于禁带中的界面态也可以作为隧道复合的中间能级，有助于载流子通过界面态隧穿到对方区域，和相反型号载流子复合，这就是隧道复合模型。 Eg2 Eg1 正偏pN异质结隧道复合过程示意图 材